偏置條件的確定

   總劑蚩輻照過程屮器件的偏置條件是影響器件總劑量輻照損傷關鍵因素之一。器件的偏置條件決定了氧化:中的電場的強度和方向,氧化層中的電場的強度和方向影響著輻射感生電子一空穴對的分離(或初始復合率)和運動方向及速度(迂移率),從而影響著氧化物陷阱電荷和界面態(tài)的產(chǎn)生,最終影響器件的電離總劑量輻照損傷的大小。

M24C16-WMN6TP

   總劑量試驗標準中對輻照過程器件的偏置條件的規(guī)定如下:“輻照過程巾器件加最劣偏置條件,或施加代表器件實際工作狀態(tài)的偏置條件。”對大規(guī)模集成電路來說,確定器件的總劑量輻照最劣偏置條件往往是非常困難的,而日.結構不同的器件的最劣偏置也不同。因此,在進行總劑量輻照時,需要進行大量的摸底試驗或仿真分析試驗以確定器件的最劣偏置條件。

   另外,選擇的負載應使器件結溫上升少,以防止輻射退火效應的發(fā)生。