利用自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)發(fā)射區(qū)和基區(qū)的接觸可以不需要進(jìn)行兩次光刻,而是直接自對(duì)準(zhǔn)形成,M24C16-WMN6TP從而不存在光刻版之間的套刻問(wèn)題,有效地減少了器件內(nèi)部電極接觸之n+多晶硅 間的距離。雙層多晶硅自對(duì)準(zhǔn)發(fā)射極和基區(qū)接觸工藝流螽疊晷煲 程如圖12-24所示。目前該技術(shù)已經(jīng)非常成熟,廣泛應(yīng)用于高性能雙極型集成電路的制各。

   ①在隔離完成之后,刻蝕去掉有源區(qū)的⒏O2,隨后淀積一層多晶硅poM,重?fù)诫sp型雜質(zhì)硼,CⅥ⒐⒊o2。

   ②采用各向異性的干法刻蝕去除發(fā)射區(qū)上的二氧化硅和多晶硅;高溫氧化使發(fā)射區(qū)窗口和多晶硅側(cè)壁上形成一層二氧化硅,由于多晶硅的氧化速率較快,因此多晶硅上的氧化層較厚。

   ③干法刻蝕形成側(cè)墻,側(cè)墻用于隔離開(kāi)基極和發(fā)射極,所以其厚度和質(zhì)量非常重要。隨后進(jìn)行基區(qū)的硼注入;在發(fā)射區(qū)去除二氧化硅并清洗后.淀積多晶硅pol`并進(jìn)行重n型摻雜,形成發(fā)射極,通過(guò)快速熱退火,利用lDol`中雜質(zhì)的外推形成發(fā)射區(qū)。從而實(shí)現(xiàn)白對(duì)準(zhǔn)的發(fā)射極和基極接觸。

   本章小結(jié)

   本章包括金屬化與多層互連,CM(B集成電路△藝和雙極型集成電路工藝等內(nèi)容。在金屬化與多層互連中介紹了形成歐姆接觸的3種方法;布線技術(shù)和多層互連的材料、I藝等方面的關(guān)鍵問(wèn)題及解決方法;銅多層互連I藝流程。在CMC)S集成電路工藝中,介紹了隔離、阱、薄柵介質(zhì)、非均勻溝道、柵電極,以及源/漏技術(shù)與淺結(jié)形成的典型工藝技術(shù);典型CMOs集成電路工藝流程。在雙極型集成電路工藝中介紹了兩種隔離工藝,典型雙極型集成電路的工藝流程和多晶硅技術(shù)在雙極型集成電路中的應(yīng)用。