去除試樣樣品氦氣吸附
發(fā)布時間:2019/5/16 20:28:53 訪問次數(shù):1649
去除試樣樣品氦氣吸附
GJB548B-20Ⅱ方法1014中3,1,1明確規(guī)定:“將待測樣品置于密封室內(nèi),然后在規(guī)定的壓力下用1O0%的氦氣對密封罐加壓,經(jīng)過規(guī)定的時間(rl)后去除壓力, H5TQ2G63BFR-RDC樣品從真空密封罐內(nèi)取出后應(yīng)去除樣品表面吸附的氦氣”。但卻沒有規(guī)定用何種方法去除。試驗表明氦氣吸附是影響檢測結(jié)果準(zhǔn)確性的重要因素。
干燥空氣流動法除去氦氣吸附的效果較高溫存儲法效果差。對于諸如陶瓷封裝的多孔結(jié)構(gòu)殼體即使延長時間,去除效果也未見明顯增加,與長期放置在空氣中去除氦氣效果相同。但對常規(guī)封裝材料有明顯作用,并且干燥空氣流動法的優(yōu)點在于操作快捷,未對樣品產(chǎn)生額外應(yīng)力,去除氦氣吸附效率也較高。為了方便對集成電路密封細(xì)檢漏去除氦氣吸附方法進(jìn)行選擇,其說明見表⒋4。
表⒋4 集成電路密封細(xì)檢漏去除氦氣吸附方法
去除試樣樣品氦氣吸附
GJB548B-20Ⅱ方法1014中3,1,1明確規(guī)定:“將待測樣品置于密封室內(nèi),然后在規(guī)定的壓力下用1O0%的氦氣對密封罐加壓,經(jīng)過規(guī)定的時間(rl)后去除壓力, H5TQ2G63BFR-RDC樣品從真空密封罐內(nèi)取出后應(yīng)去除樣品表面吸附的氦氣”。但卻沒有規(guī)定用何種方法去除。試驗表明氦氣吸附是影響檢測結(jié)果準(zhǔn)確性的重要因素。
干燥空氣流動法除去氦氣吸附的效果較高溫存儲法效果差。對于諸如陶瓷封裝的多孔結(jié)構(gòu)殼體即使延長時間,去除效果也未見明顯增加,與長期放置在空氣中去除氦氣效果相同。但對常規(guī)封裝材料有明顯作用,并且干燥空氣流動法的優(yōu)點在于操作快捷,未對樣品產(chǎn)生額外應(yīng)力,去除氦氣吸附效率也較高。為了方便對集成電路密封細(xì)檢漏去除氦氣吸附方法進(jìn)行選擇,其說明見表⒋4。
表⒋4 集成電路密封細(xì)檢漏去除氦氣吸附方法
上一篇:粗檢漏(氟碳化合物粗檢漏試驗法)
熱門點擊
- 儀表放大器的應(yīng)用
- 開啟電壓和驅(qū)動電壓
- 密封試驗是確定具有空腔的電子元器件封裝的氣密
- 霍爾傳感器的接口電路
- 發(fā)現(xiàn)用電動機(jī)振動臺和用機(jī)械式試驗機(jī)進(jìn)行模擬還
- 電容器
- 器件產(chǎn)生的外電壓稱為開路電壓
- 試驗過程中遇到的問題及解決思路
- 恒定加速度試驗應(yīng)注意的問題
- 空間輻射環(huán)境中存在的各種高能射線粒子
推薦技術(shù)資料
- 單片機(jī)版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細(xì)]
- 1200 V CoolSiC MOSFET
- 高帶寬內(nèi)存(HBM)和芯片間互連(ICI)應(yīng)
- 第七代TPU—Ironwood
- Neuralink新款“心靈感
- IR最新功率MOSFET的30
- 全新第4代SiC MOSFET
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究