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混合集成電路接收判據(jù)

發(fā)布時間:2019/5/17 20:31:50 訪問次數(shù):3600

   混合集成電路接收判據(jù)

   單個器件檢查應(yīng)包括但又不限于檢查以下項目:外來顆粒、元件的位置和取向、基板裂H1260NL紋長度超過0.127mm或指向有源金屬化區(qū)、黏合劑積聚、焊料飛濺、引線布局、端蓋密封有空洞(這可能不適用于功率混合電路),以及基板和外殼之間的不良浸潤等。由X射線照片檢查暴露出以下缺陷的任何器件應(yīng)拒收。

   1)外來物

   (1)存在于芯片表面、元件、基板和封裝內(nèi)的大于0.Ⅱ5mm的任何游離顆粒,或雖然尺寸較小,但足以跨接器件中互相不連接的導電部分的任何游離顆粒。

   (2)附著的多余物橋接了金屬化通道、外殼引線、引線與外殼金屬化區(qū)、電路功能元件、接頭或任一組合。附著或游離多余物可以通過比較兩個相同觀察條件下的輕微機械振動(如PIND試驗)加以驗證。

   (3)內(nèi)引線尾絲與不應(yīng)相連的金屬相連,內(nèi)引線尾絲在基板或外殼接線端的長度超過引線直徑的4倍,或在芯片、元件上超過內(nèi)引線直徑的2倍。

   (4)焊料、合金或?qū)щ娬澈蟿┦沟梅窃O(shè)計要求的金屬化區(qū)(即引線、鍵合柱、有源金屬化區(qū)、或任一組合)橋接。

   (5)殼體內(nèi)外引線鍵合區(qū)或任一處的金層脫皮。

   混合集成電路接收判據(jù)

   單個器件檢查應(yīng)包括但又不限于檢查以下項目:外來顆粒、元件的位置和取向、基板裂H1260NL紋長度超過0.127mm或指向有源金屬化區(qū)、黏合劑積聚、焊料飛濺、引線布局、端蓋密封有空洞(這可能不適用于功率混合電路),以及基板和外殼之間的不良浸潤等。由X射線照片檢查暴露出以下缺陷的任何器件應(yīng)拒收。

   1)外來物

   (1)存在于芯片表面、元件、基板和封裝內(nèi)的大于0.Ⅱ5mm的任何游離顆粒,或雖然尺寸較小,但足以跨接器件中互相不連接的導電部分的任何游離顆粒。

   (2)附著的多余物橋接了金屬化通道、外殼引線、引線與外殼金屬化區(qū)、電路功能元件、接頭或任一組合。附著或游離多余物可以通過比較兩個相同觀察條件下的輕微機械振動(如PIND試驗)加以驗證。

   (3)內(nèi)引線尾絲與不應(yīng)相連的金屬相連,內(nèi)引線尾絲在基板或外殼接線端的長度超過引線直徑的4倍,或在芯片、元件上超過內(nèi)引線直徑的2倍。

   (4)焊料、合金或?qū)щ娬澈蟿┦沟梅窃O(shè)計要求的金屬化區(qū)(即引線、鍵合柱、有源金屬化區(qū)、或任一組合)橋接。

   (5)殼體內(nèi)外引線鍵合區(qū)或任一處的金層脫皮。

相關(guān)IC型號
H1260NL
H1260
H1260AT
H1260NLT
H1260T

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