掃描電鏡(sEM)檢查。主要用于判斷集成電路芯片表面上互連金屬化層的質(zhì)量。 ACS712對(duì)需要進(jìn)行形貌觀察的項(xiàng)目,囚光學(xué)顯微鏡放大倍數(shù)或景深等原因難以判斷時(shí),可用掃描電了顯微鏡做進(jìn)一步判斷,但必須注意,不得因放大倍數(shù)的提高而加嚴(yán)有關(guān)判據(jù)。如果發(fā)生任何內(nèi)引線鍵合的脫落,就應(yīng)進(jìn)行掃描電鏡檢查,以確定斷裂處鍵合與芯片界面的特征。掃描電子顯微鏡配備能譜儀可對(duì)多余物進(jìn)行成分分析。

   內(nèi)部日檢。檢查器件內(nèi)部的材料、結(jié)構(gòu)和工藝操作是否符合相應(yīng)的要求,在高質(zhì)量的器件制造過(guò)程中都要進(jìn)行嚴(yán)格的、100%的內(nèi)部目檢,主要對(duì)芯片的金屬化、鈍化層、內(nèi)引線的鍵合、芯片的安裝黏接、材料和結(jié)構(gòu)的檢查。對(duì)已封裝的器件開(kāi)帽后進(jìn)行內(nèi)部目檢可發(fā)現(xiàn)器件在生產(chǎn)控制過(guò)程中的內(nèi)部目檢是否按規(guī)定要求進(jìn)行,是否存在有批次性缺陷,這些缺陷可能會(huì)導(dǎo)致器件在正常使用時(shí)失效。有些缺陷也是批次性的,要根據(jù)缺陷的種類認(rèn)真分析以確定整批的器件是否可以使用.

  鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)。目的是檢查器件內(nèi)引線的鍵合是否達(dá)到規(guī)定的要求。集成電路芯片和管殼是通過(guò)鍵合金絲或鋁絲來(lái)連接的。鍵合強(qiáng)度低,鍵合點(diǎn)就容易脫開(kāi),從而造成器件失效�！傲憧它c(diǎn)”是這類缺陷中最嚴(yán)重的。所謂零克點(diǎn)即鍵合強(qiáng)為零克的點(diǎn),具有這種缺陷的鍵合點(diǎn)即使沒(méi)脫開(kāi),也只是“虛”接觸。鍵合強(qiáng)度的退化也常常帶有批次性,出現(xiàn) “零克點(diǎn)”的批次一般不得使用。

   剪切強(qiáng)度試驗(yàn)。目的是檢查芯片(或表面安裝的無(wú)源元件)黏附在管座上所使用的材料和工藝的完整性c如果芯片附著不牢,芯片脫離管座會(huì)引起器件的開(kāi)路;黏結(jié)不良,芯片散熱不良會(huì)造成過(guò)熱燒毀。芯片的剪切強(qiáng)度不合格也往往帶有批次性。