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外殼主要相關(guān)標準有

發(fā)布時間:2019/7/9 20:10:19 訪問次數(shù):2078

   外殼主要相關(guān)標準有:K4B1G1646E-HPH9

   1.GJB1420B-⒛11半導體集成電路外殼通用規(guī)范;

   2.GJB⒉40A-20∝混合集成電路外殼通用規(guī)范;

   3.GJB9⒛A-⒛04半導體分立器件外殼通用規(guī)范;

   4.GJB5438-2005半導體光電子器件外殼通用規(guī)范。

   電子元器件封裝外殼根據(jù)其應用范圍領(lǐng)域,鑒定檢驗或檢測試驗所依據(jù)的通用規(guī)范分為4大類。

   第一類為半導體集成電路封裝外殼,依據(jù)GJB14⒛B-2011《半導體集成電路外殼通用規(guī)范》進行試驗,其檢驗項目包括外部目檢、外形尺寸、鍍層厚度、電特性(絕緣電阻、引線電容、引線間電容、介質(zhì)耐電壓)、引線牢固性(拉力、引線疲勞、轉(zhuǎn)矩)、密封(細檢漏、粗檢漏)、引線鍍覆粘附強度、鍍金質(zhì)量、鍍鎳質(zhì)量、鍵合強度(熱壓焊、超聲焊、倒裝焊)、剪切、可焊性、熱沖擊、溫度循環(huán)、耐濕、鹽霧、機械沖擊、掃頻振動、恒定加速度等。GJB1420經(jīng)歷由GJB l緄0A-1999《半導體集成電路外殼總規(guī)范》到GJB1420B―⒛11《半導體集成電路外殼通用規(guī)范》的改版過程,相比老版,GJB1420B對鑒定檢驗的樣本大小、試驗分組進行了調(diào)整,使試驗項目的檢測更能反映樣品可靠性情況,增加了鍍鎳質(zhì)量考核試驗方法,更適應產(chǎn)品的發(fā)展及其工藝改進,增加了陶瓷外殼檢驗要求,對第3章部分內(nèi)容進行了調(diào)整。





   外殼主要相關(guān)標準有:K4B1G1646E-HPH9

   1.GJB1420B-⒛11半導體集成電路外殼通用規(guī)范;

   2.GJB⒉40A-20∝混合集成電路外殼通用規(guī)范;

   3.GJB9⒛A-⒛04半導體分立器件外殼通用規(guī)范;

   4.GJB5438-2005半導體光電子器件外殼通用規(guī)范。

   電子元器件封裝外殼根據(jù)其應用范圍領(lǐng)域,鑒定檢驗或檢測試驗所依據(jù)的通用規(guī)范分為4大類。

   第一類為半導體集成電路封裝外殼,依據(jù)GJB14⒛B-2011《半導體集成電路外殼通用規(guī)范》進行試驗,其檢驗項目包括外部目檢、外形尺寸、鍍層厚度、電特性(絕緣電阻、引線電容、引線間電容、介質(zhì)耐電壓)、引線牢固性(拉力、引線疲勞、轉(zhuǎn)矩)、密封(細檢漏、粗檢漏)、引線鍍覆粘附強度、鍍金質(zhì)量、鍍鎳質(zhì)量、鍵合強度(熱壓焊、超聲焊、倒裝焊)、剪切、可焊性、熱沖擊、溫度循環(huán)、耐濕、鹽霧、機械沖擊、掃頻振動、恒定加速度等。GJB1420經(jīng)歷由GJB l緄0A-1999《半導體集成電路外殼總規(guī)范》到GJB1420B―⒛11《半導體集成電路外殼通用規(guī)范》的改版過程,相比老版,GJB1420B對鑒定檢驗的樣本大小、試驗分組進行了調(diào)整,使試驗項目的檢測更能反映樣品可靠性情況,增加了鍍鎳質(zhì)量考核試驗方法,更適應產(chǎn)品的發(fā)展及其工藝改進,增加了陶瓷外殼檢驗要求,對第3章部分內(nèi)容進行了調(diào)整。





相關(guān)技術(shù)資料
7-9外殼主要相關(guān)標準有
相關(guān)IC型號
K4B1G1646E-HPH9
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