單片集成電路是能夠獨立實現單元電路功能,無須外接元器件的單芯片集成電路。利用研磨、拋光、氧化、擴散、光刻、外延生長、蒸發(fā)等一整套平面工藝技術,在一小塊硅單晶片上同時制造晶體管、二極管、H5PS5162FFR-Y5C電阻和電容等元器件,并且采用一定的隔離技術使各元器件在電性能上互相隔離,然后在硅片表面蒸發(fā)鋁層并用光刻技術刻蝕成互連圖形,使元器件按需要互連成完整電路,制成半導體單片集成電路。然后封裝在一個管殼內,使整個電路的體積大大縮小,引出線和焊接點的數目也大為減少。分立器件是與集成器件相對應的一個概念,從結構和用途上看,半導體分立器件是半導體二極管、半導體三極管以及其他半導體器件的統(tǒng)稱。

   二極管是最常用的電子器件之一,它最大的特性就是單向導電,即電流只可以從二極管的一個方向流過。二極管主要用于整流電路、檢波電路、穩(wěn)壓電路、各種調制電路。二極管分類方法很多,按照所用的半導體材料不同,可分為硅二極管(Si管)和鍺二極管(Gc管);按照其使用用途,可分為穩(wěn)壓二極管、檢波二極管、整流二極管、開關二極管、發(fā)光二極管、隔離二極管、肖特基二極管、旋轉二極管和硅功率開關二極管。

   三極管是一種固體半導體器件,可以用于實現放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其他功能,主要分為雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)兩大類。按使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管;按其結構及制造工藝可分為平面型晶體管、擴散型晶體管和合金型晶體管;按封裝結構可分為金屬封裝(簡稱金封)晶體管、玻璃殼封裝(簡稱玻封)晶體管、塑料封裝(簡稱塑封)晶體管、表面封裝(片狀)晶體管和陶瓷封裝晶體管等;按功率容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管;按工作頻率可

分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等;按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、達林頓晶體管、開關晶體管、高反壓晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類型。

   單片集成電路實現的功能非常豐富,包括模擬信號的變換處理,數字信號的計算、傳輸、存儲等,按功能分可分為數字集成電路(包括邏輯集成電路、存儲器集成電路、微處理器集成電路),模擬集成電路(如各類放大器、模擬乘法器、模擬開關等),數字一模擬混合集成電路(如A/D、D從轉換器等)和其他集成電路(如光電集成電路、傳感器集成電路、超導集成電路等)。隨著集成度不斷提高、圓片直徑增大、特征尺寸減少、互連線層數增多,單片集成電路從小、中規(guī)模發(fā)展到大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路。目前,國際上單片集成電路的加工工藝已經采用7nm的技術。芯片的功能也由單一功能向復雜功能發(fā)展,出現了soC(System-on-chip)芯片,即通常所說的片上系統(tǒng),在一個芯片上能夠完成一個電子系統(tǒng)的功能。目前soC已經集成了處理器(包括CPU、DSP)、存儲器、刀D、D/A、各種接口控制模塊、各種互聯總線等。soC在性能、成本、功耗、可靠性以及生命周期與適用范圍各方面都有明顯的優(yōu)勢,是集成電路設計發(fā)展的必然趨勢。目前在性能和功耗敏感的終端芯片領域,SoC已占據主導地位,而且其應用正在擴展到更廣的領域。單芯片實現完整的電子系統(tǒng),是￡產業(yè)未來的發(fā)展方向。單片集成電路除集成度不斷向高密度發(fā)展外,也朝著大功率、高頻電路、模擬電路方向發(fā)展。