功率場效應(yīng)晶體管的工作原理

   當柵源電壓UG~s=0時,漏極下的P型區(qū)表面呈現(xiàn)空穴的堆積狀態(tài),不可能出現(xiàn)反型層,無法溝通漏源極。L6920DBTR此時即使在漏源極之間施加電壓,也不會形成P區(qū)內(nèi)載流子的移動,即VDMOS管保持斷態(tài)。把這種正常關(guān)斷型的MOsFET稱為增強型MOSFET。當柵源電壓U“>0且不夠充分時,柵極下面的P型區(qū)表面呈現(xiàn)耗盡狀態(tài),還是無法溝通漏源極,此時VDMOS管仍保持斷態(tài)。當柵源電壓urs達到或超過ux⒆時,柵極下面的硅的表面從P型反型成N型;形成N型表面層,并把源區(qū)和漏區(qū)聯(lián)系起來,從而把漏源極溝通,使VDMOS管進人通態(tài)。通常把導電的反型層稱為溝道。此時,漏源極之間施加電壓,電子從源極通過溝道移動到漏極,形成漏極電流rD。