在可調(diào)電阻區(qū)I內(nèi),器件的電阻值是變化的。當(dāng)柵源電壓LrGs~定時(shí),器件內(nèi)的溝道已經(jīng)形成;當(dāng)漏源電壓嘰、很小時(shí),對(duì)溝道的影響可忽略。 L78M05CV此時(shí)溝道的寬度和電子的遷移率幾乎不變,所以ⅠD與Lr忒幾乎皇線性關(guān)系,該區(qū)域相當(dāng)于BJT的飽和區(qū)。當(dāng)L柢逐漸增大時(shí),靠近漏區(qū)一端的溝道逐漸變窄,同時(shí),溝道電子將達(dá)到散射極限速度,使ⅠD增加趨緩,即溝道有效阻值逐漸增加,直至靠近漏區(qū)一端的溝道被夾斷或溝道電子達(dá)到散射極限速度,才使溝道電子的運(yùn)動(dòng)擺脫溝道電場(chǎng)的影響,開始進(jìn)入飽和區(qū)Ⅱ。在飽和區(qū)Ⅱ中,當(dāng)U∞不變時(shí),rD趨于不變,該區(qū)域相當(dāng)于BJT的線性放大區(qū)。當(dāng)U啪增大至使漏極PN結(jié)反偏電壓過高時(shí),發(fā)生雪崩擊穿,ⅠD突然增加,此時(shí)進(jìn)人雪崩區(qū)Ⅲ,直至器件損壞。使用時(shí)應(yīng)避免出現(xiàn)這種情況。當(dāng)柵源電壓小于閾值電壓uα⑾時(shí),功率MOSFET處于截止區(qū)。功率MOsFET一般應(yīng)工作在開關(guān)狀態(tài)。

  功率MOSFET是一種多數(shù)載流子傳輸?shù)钠骷?可以在高頻下工作,但受限于柵極輸入電容和載流子通過漂移區(qū)所產(chǎn)生的穿越時(shí)問延遲。其開關(guān)特性的測(cè)試電路如圖⒈27所示,其開關(guān)特性如圖⒈28所示。