為了降低MOSFET的開關(guān)時間,必須減小柵漏電容。由于MOSFET只靠多數(shù)載流子導(dǎo)電,不存在存儲效應(yīng),因此開關(guān)過程比較快。功率M(BFET的開關(guān)時間在10~100之間,是常用電力電子器件中開關(guān)頻率最高的。 L99MC6TR

   安全工作區(qū)(SOA)

   功率MOSFET沒有二次擊穿問題,具有非常寬的安全工作區(qū),特別是在高電壓范圍內(nèi)。但是功率MOSFET的通態(tài)電阻比較大,所以在低壓部分不僅受最大電流的限制,還要受到自身功耗的限制。

   1)正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)

   正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)如圖⒈29(a)所示,它是由4條邊界極限所包圍的區(qū)域。這4條邊界是:漏源通態(tài)電阻、漏極最大電流、最大功耗和漏源擊穿電壓。最大功耗的限制和BJT相同,是由器件的熱響應(yīng)特性、最大允許結(jié)溫和最大熱阻抗聯(lián)合決定的;對應(yīng)不同的工作時間有不同的耐量,時間越短,耐量越大。

   2)開關(guān)安全工作區(qū)(s⒏)A)

   開關(guān)安全工作區(qū)(SsOA)表示器件工作的極限范圍。如圖⒈29(b)所示,SSOA由最大漏極電流ⅠLlM、漏源擊穿電壓B△1:和最大結(jié)溫決定,超出該區(qū)域,器件將損壞。功率MOSFET的正、反向偏置安全工作區(qū)沒有區(qū)別,所以開關(guān)安全工作區(qū)的最大電壓電流與FBSOA一樣。