功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)

   ①漏源擊穿電壓BLIus

   該電壓決定了功率M(BFET的最高工作電壓,限制了器件的電壓和功率處理能力,這是為了避免器件進(jìn)入雪崩區(qū)而設(shè)的極限參數(shù)。B哧:的大小取決于漏極PN結(jié)的雪崩擊穿結(jié)構(gòu)和柵極對(duì)溝道、漏區(qū)間反偏結(jié)耗盡層電場(chǎng)分布的影響,以及器件各部分表面的電場(chǎng)分布效應(yīng)等因素。 LAN8700-AEZG

   ②柵源擊穿電壓BL1s

   該電壓表征了功率MOsFET柵源之間能承受的最高電壓,是為了防止柵源電壓過(guò)高而發(fā)生電擊穿的參數(shù)。

   ③漏極最大電流rE,M

   該電流表征功率MOSFET的電流容量,確定MOSFET電流定額的方法和功率晶體管不同。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集電極電流過(guò)大時(shí),電流放大系數(shù)迅速下降,它的下降程度限制了集電極電流的最大允許值。MOSFET的跨導(dǎo)gm則與之不同,隨漏極電流的增大而增大,直至達(dá)到穩(wěn)定值。

   ④開(kāi)啟電壓LJαtv

   Uα⑾又稱閾值電壓,是指功率MOSFET流過(guò)一定量的漏極電流時(shí)的最小柵源電壓。當(dāng)柵源電壓等于開(kāi)啟電壓時(shí),功率MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通。在轉(zhuǎn)換特性上,L廠α⑾為轉(zhuǎn)移特性曲線與橫坐標(biāo)的交點(diǎn),其值的大小與耗盡層的正向電荷量有關(guān)。

   ⑤通態(tài)電阻R∞

   通態(tài)電阻R∞是指在確定的柵源電壓u冷下,功率MOSFET處于恒流區(qū)時(shí)的直流電阻。它與輸出特性密切相關(guān),是影響最大輸出功率的重要參數(shù),R∞的大小與柵源電壓有很大的關(guān)系。

   ⑥極間電容

   功率MOSFET的極間電容是影響其開(kāi)關(guān)速度的主要因素。其極間電容分為兩類:一類為C溢和C∞,它們由MOs結(jié)構(gòu)的絕緣層形成,其電容量的大小由柵極的幾何形狀和絕緣層的厚度決定;另一類是C凼,它由PN結(jié)構(gòu)成,其數(shù)值的大小由溝道面積和有關(guān)結(jié)的反偏程度決定。一般生產(chǎn)廠家提供的是漏源短路時(shí)的輸人電容Ci、共源極輸出電容G皿及反饋電容Cf,它們與各極間電容關(guān)系表達(dá)式為顯然,Ci,G哎和Cf均與漏源電容0.D有關(guān)。