IR D類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2007/8/31 0:00:00 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):312
International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR推出IRAUDAMP1 D類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì),當(dāng)中的額定200V IR2011S高速柵驅(qū)動(dòng)器集成電路,能針對(duì)功率級(jí)的每個(gè)聲道驅(qū)動(dòng)一對(duì)IRFB23N15D HEXFET MOSFET,提供放大音頻脈寬調(diào)制 (PWM) 波形。
IRAUDAMP1參考設(shè)計(jì)是一個(gè)完整的模擬輸入 D類(lèi)音頻功率放大器,具有4 Ω 的峰值500W + 500W立體聲輸出。它以一個(gè)自振式脈寬調(diào)制器為基礎(chǔ),有利于最大限度減少組件數(shù)目并實(shí)現(xiàn)耐用設(shè)計(jì),兼具多項(xiàng)保護(hù)功能和內(nèi)務(wù)操作電源,有助簡(jiǎn)化使用。該參考設(shè)計(jì)的主要作用,是展示IR2011S的應(yīng)用方法,實(shí)施保護(hù)電路功能并設(shè)計(jì)出最完善的印板布局。
IRAUDAMP1的性能特點(diǎn)如下:
* 在1kHz、100W、4Ω下THD+N=0.008%
* 在350W、1kHz、4Ω下效率高達(dá)93%
* 工作電源的電壓范圍十分寬廣,介乎 ±25 ~ 60V
參考設(shè)計(jì)中的保護(hù)電路包括過(guò)壓和過(guò)電流保護(hù)功能,兼具輸出直流電壓保護(hù),能避免直流電損壞揚(yáng)聲器。
IR2011 額定200V、低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)集成電路,是專(zhuān)為100W至1000W的 D類(lèi)音頻放大器電路而設(shè)計(jì)。它采用八引腳DIP或SO-8封裝,最高額定環(huán)境溫度為125(C,安全度比額定值僅為85(C的同類(lèi)器件更勝一籌。
International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR推出IRAUDAMP1 D類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì),當(dāng)中的額定200V IR2011S高速柵驅(qū)動(dòng)器集成電路,能針對(duì)功率級(jí)的每個(gè)聲道驅(qū)動(dòng)一對(duì)IRFB23N15D HEXFET MOSFET,提供放大音頻脈寬調(diào)制 (PWM) 波形。
IRAUDAMP1參考設(shè)計(jì)是一個(gè)完整的模擬輸入 D類(lèi)音頻功率放大器,具有4 Ω 的峰值500W + 500W立體聲輸出。它以一個(gè)自振式脈寬調(diào)制器為基礎(chǔ),有利于最大限度減少組件數(shù)目并實(shí)現(xiàn)耐用設(shè)計(jì),兼具多項(xiàng)保護(hù)功能和內(nèi)務(wù)操作電源,有助簡(jiǎn)化使用。該參考設(shè)計(jì)的主要作用,是展示IR2011S的應(yīng)用方法,實(shí)施保護(hù)電路功能并設(shè)計(jì)出最完善的印板布局。
IRAUDAMP1的性能特點(diǎn)如下:
* 在1kHz、100W、4Ω下THD+N=0.008%
* 在350W、1kHz、4Ω下效率高達(dá)93%
* 工作電源的電壓范圍十分寬廣,介乎 ±25 ~ 60V
參考設(shè)計(jì)中的保護(hù)電路包括過(guò)壓和過(guò)電流保護(hù)功能,兼具輸出直流電壓保護(hù),能避免直流電損壞揚(yáng)聲器。
IR2011 額定200V、低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)集成電路,是專(zhuān)為100W至1000W的 D類(lèi)音頻放大器電路而設(shè)計(jì)。它采用八引腳DIP或SO-8封裝,最高額定環(huán)境溫度為125(C,安全度比額定值僅為85(C的同類(lèi)器件更勝一籌。
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