W78C31B16輸入級(jí)V3為多發(fā)射極晶體管,它相當(dāng)于發(fā)射極獨(dú)立而基極和集電極分別并在一起的三極管。

輸出級(jí)為推拉式結(jié)構(gòu),復(fù)合管V5、Ⅴ6和Ⅴ7分別由互相倒相的Ⅴ4集電極和發(fā)射極電壓控制,使得Ⅴ5、Ⅴ6飽和導(dǎo)通時(shí),Ⅴ7截止,當(dāng)V5、Ⅴ6截止時(shí),Ⅴ7飽和導(dǎo)通(稱為圖騰輸出電路)。

當(dāng)輸入端全為1時(shí),輸出端為0;當(dāng)輸入端不全為1時(shí),輸出端為1。

ttL與非門電路的主要技術(shù)參數(shù)有:

輸出高電平u0H 指有一個(gè)(或幾個(gè))輸人端是低電平時(shí)的輸出電平。uoh的典型值約為3.5Ⅴ。

輸入短路電流JIs 當(dāng)某一輸人端接地而其余輸人端懸空時(shí),流過這個(gè)輸人端的電流稱為輸入短路電流。

輸出低電平uoL 指輸人端全為高電平時(shí)的輸出電平。標(biāo)準(zhǔn)低電平σsL=0.4Ⅴ。

扇出數(shù)Ⅳ0 表示與非門輸出端最多能接幾個(gè)同類的與非門。典型電路中Ⅳ0≥8。

開門電平y(tǒng)。N和關(guān)門電平uoFF 在額定負(fù)載下,使輸出電平達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)低電平L時(shí)的輸入電平稱開門電平。當(dāng)輸出電平上升到標(biāo)準(zhǔn)高電平I/sH時(shí)的輸人電平稱關(guān)門電平。

空載損耗 與非門空載時(shí),電源總電流rc13與電源電壓yc的乘積稱空載損耗。

高電平輸人電流JIE 某一輸入端接高電平,而其余輸人端接地時(shí)的電流。一般情況下rm<50uA。

平均傳輸延遲時(shí)間rpd 是用來表示電路開關(guān)速度的參數(shù)。定義為與非門的導(dǎo)通延遲時(shí)間td(on)與截止延遲時(shí)間td(off)的平均值。

CMOS集成邏輯門電路 由金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成的集成電路簡(jiǎn)稱MOS電路,兼有N溝道和P溝道兩種的增強(qiáng)型MOs管電路稱互補(bǔ)MOS電路,簡(jiǎn)稱CMOS電路。

CMOS集成電路的特點(diǎn)(與TrL集成電路相比較),靜態(tài)功耗低,電源電壓范圍寬,輸入阻抗高,扇出能力強(qiáng),抗干擾能力強(qiáng),邏輯擺幅大,溫度穩(wěn)定性好,工作速度低于TL電路,功耗隨頻率的升高顯著增大。

CMOS非門電路 常稱CMOS反相器。由兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管組成互補(bǔ)工作狀態(tài),如圖14-23所示,當(dāng)輸人端為1時(shí),輸出端為0;當(dāng)輸入端為0時(shí),輸出端為1,實(shí)現(xiàn)反相。

CMOS與非門電路 由兩個(gè)以上COMS反相器P溝道增強(qiáng)型MOS管源極和漏極分別并接,N溝道增強(qiáng)型MOs管串器電路接,就構(gòu)成CMOs與非門電路,如圖14-24所示。當(dāng)兩個(gè)輸入端全為1時(shí),輸出端為0;當(dāng)輸人端中有一個(gè)或全部為0時(shí),輸出端為1。

CMOs或非門電路 將兩個(gè)CMOs反相器的開關(guān)管部分并聯(lián),負(fù)載管部分串聯(lián),就構(gòu)成CMOs或非門電路,如圖14-25所示。當(dāng)兩個(gè)輸人端全為1或其中一個(gè)輸人端為1時(shí),輸出端為0;只有當(dāng)兩個(gè)輸人端全為0時(shí),輸出端才為1。