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IR新型40V同步整流MOSFET優(yōu)化電信和數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用

發(fā)布時間:2007/8/31 0:00:00 訪問次數(shù):359

電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRF7842 40V N溝道HEXFET功率MOSFET,優(yōu)化了電信系統(tǒng)中的隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器。

IRF7842的額定電壓為40V,若用于電信及數(shù)據(jù)系統(tǒng)的副邊同步整流電路,則有助于增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。這些系統(tǒng)的輸入電壓范圍較寬,一般在36V到75V之間,因而會在副邊產(chǎn)生5V至12V的電壓波動。由于額定30V器件不能提供所需的額定富裕電壓,所以需采用額定40V MOSFET。全新40V器件使IR針對電信系統(tǒng)的副邊電源管理開關(guān)器件陣營更加充實。

當(dāng)IRF7842用于配備IR2085S原邊脈寬調(diào)制 (PWM) 集成電路的隔離式直流-直流總線轉(zhuǎn)換器中的副邊同步整流時,可在150W全負(fù)載條件下效率達(dá)到95.2%;在相同直流-直流總線轉(zhuǎn)換器中,IRF7842的效率要比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的40V器件高出0.5%。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“IRF7842采用了IR的溝槽式MOSFET技術(shù),能優(yōu)化通態(tài)電阻及總體柵電荷,把損耗減至最低。其標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝提供簡易產(chǎn)品升級到現(xiàn)有其它設(shè)計。”

IRF7842現(xiàn)已投入應(yīng)用。有關(guān)芯片產(chǎn)品的供貨資料,可瀏覽http://die.irf.com。數(shù)據(jù)表詳載于www.irf.com.

電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IRF7842 40V N溝道HEXFET功率MOSFET,優(yōu)化了電信系統(tǒng)中的隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器。

IRF7842的額定電壓為40V,若用于電信及數(shù)據(jù)系統(tǒng)的副邊同步整流電路,則有助于增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。這些系統(tǒng)的輸入電壓范圍較寬,一般在36V到75V之間,因而會在副邊產(chǎn)生5V至12V的電壓波動。由于額定30V器件不能提供所需的額定富裕電壓,所以需采用額定40V MOSFET。全新40V器件使IR針對電信系統(tǒng)的副邊電源管理開關(guān)器件陣營更加充實。

當(dāng)IRF7842用于配備IR2085S原邊脈寬調(diào)制 (PWM) 集成電路的隔離式直流-直流總線轉(zhuǎn)換器中的副邊同步整流時,可在150W全負(fù)載條件下效率達(dá)到95.2%;在相同直流-直流總線轉(zhuǎn)換器中,IRF7842的效率要比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的40V器件高出0.5%。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“IRF7842采用了IR的溝槽式MOSFET技術(shù),能優(yōu)化通態(tài)電阻及總體柵電荷,把損耗減至最低。其標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝提供簡易產(chǎn)品升級到現(xiàn)有其它設(shè)計!

IRF7842現(xiàn)已投入應(yīng)用。有關(guān)芯片產(chǎn)品的供貨資料,可瀏覽http://die.irf.com。數(shù)據(jù)表詳載于www.irf.com.

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