Silicon Genesis(SiGen)公司最近開(kāi)發(fā)出一種晶圓級(jí)單軸應(yīng)變襯底技術(shù)，名為下一代應(yīng)變硅或NGS，據(jù)稱能避免與基于雙軸應(yīng)變硅或應(yīng)變絕緣硅技術(shù)的硅鍺相關(guān)的遷移率退化及高缺陷問(wèn)題。  

    作為一家絕緣硅工藝技術(shù)供應(yīng)商，Silicon Genesis公司聲稱自己是首家在晶圓級(jí)而不是晶體管級(jí)成功采用單軸應(yīng)變技術(shù)的公司。晶體管級(jí)單軸應(yīng)變硅襯底技術(shù)曾經(jīng)由芯片制造商如英特爾和德州儀器演示過(guò)，英特爾已經(jīng)在其90納米工藝中采用該技術(shù)。  

    Silicon Genesis公司總裁兼首席執(zhí)行官Francois J. Henley表示：“這種新材料提供了較之硅鍺雙軸應(yīng)變晶圓技術(shù)大幅增強(qiáng)遷移率的潛力，與應(yīng)變方法兼容。由于采用了我們專有的低溫工藝技術(shù)，缺陷率非常低。它能作為外延層應(yīng)變硅晶圓被直接集成到硅上或作為應(yīng)變絕緣硅晶圓被集成到絕緣體上�！�  

    Henley補(bǔ)充說(shuō)，生產(chǎn)單軸應(yīng)變襯底的成本預(yù)計(jì)顯著低于雙軸技術(shù)，因?yàn)樵摴に嚤苊饬撕馁M(fèi)成本的厚硅鍺層生長(zhǎng)及松弛工序。  

    Silicon Genesis公司計(jì)劃與數(shù)家合作伙伴一起繼續(xù)開(kāi)發(fā)其下一代應(yīng)變技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

   （轉(zhuǎn)自  慧聰網(wǎng)）