BM1430轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn),在場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓保持不變的情況下,從圖8-4中可以得出以下結(jié)論:柵源電壓UGs=0時(shí),漏極電流D=Dss。柵源電壓UGs向負(fù)值方向變化時(shí),漏極電流ID逐漸減小。柵源電壓UGs=UP時(shí),漏極電流JD=0。

rDss稱(chēng)為飽和漏極電流,UP稱(chēng)為夾斷電壓。輸出特性曲線(xiàn) 輸出特性曲線(xiàn)是表示在柵源電壓一定條件下,漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系,如圖8-5所示。

電阻區(qū)、放大擊穿區(qū)、截止區(qū)。

由場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路中,場(chǎng)效應(yīng)管必須工作在放大區(qū),即必須采用合適的直流電流將其工作點(diǎn)(UDs,rD)設(shè)置于輸出特性曲線(xiàn)的放大區(qū)或恒流區(qū),且保持穩(wěn)定。與三極管放大電路相類(lèi)似,場(chǎng)效應(yīng)管放大電路有共源、共漏、共柵二種接法。

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種柵極與源極、漏極之間有絕緣層的場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有N溝道型及P溝道型兩種結(jié)構(gòu)形式。無(wú)論是N溝道型或P溝道型,都有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。

N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 以P型硅片作為襯底.其間擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N・區(qū)并引出兩個(gè)電極,作為源極S和漏級(jí)D。制作場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)先在半導(dǎo)體上制作Sio2絕緣層,之后在Sio2上制作一層金屬鋁,引出電極作為柵極G,此時(shí)的P型半導(dǎo)體稱(chēng)為襯底B。N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)如圖8-6所示,N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào),場(chǎng)效應(yīng)管可看作一個(gè)受柵源電壓控制的,可當(dāng)yDs增劇增,出現(xiàn)電擊穿。如果對(duì)此不加限制,將損壞場(chǎng)效應(yīng)管。不允許場(chǎng)效應(yīng)管工作在這個(gè)區(qū)域,rD-IV恒流區(qū)場(chǎng)效應(yīng)管,在恒流區(qū)具有線(xiàn)性放大作用,-2V截止區(qū)-41柵極P襯底.

緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)是輸入電阻高,噪聲小。在通常情況下.源極一般都是與襯底相連.即Us=0。為保證N溝道增強(qiáng)型MOs管正常工作,應(yīng)達(dá)到如下條件。

UGs=0時(shí),漏源之間是相當(dāng)于兩只背靠背的PN結(jié),不論UDs極性.兩個(gè)PN結(jié)中總有一個(gè)PN結(jié)反偏,即不存在尋電溝道。LIGs必須大于0(UGs>0),場(chǎng)效應(yīng)管才能工作。

漏極對(duì)源極的電壓UDs必須為正值(UDs)0)。在漏極電壓作用下,源區(qū)電子沿導(dǎo)電溝道行進(jìn)到漏區(qū),產(chǎn)生自漏極流向源極的電流。

N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，當(dāng)UGs=0,在漏、源極之問(wèn)加正向電壓UDs時(shí).漏源極之P襯底MoSFET是利用柵源電壓的大小,來(lái)改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少,從而控制漏極電流的大小。N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理．