NMC27CP128Q200 高頻響應和上限頻率
發(fā)布時間:2020/1/29 22:35:29 訪問次數(shù):1745
NMC27CP128Q200對交流信號短路,于是可畫出圖4.7.10a所示電路的高頻小信號等效電路,如圖4.7.10b所示,F(xiàn)按以下步驟進行分析:
求密勒電容由于電容Cb`c跨接在輸人和輸出回路之間,使電路分析較為復雜,為了方便起見,可將Cbc進行單向化處理,即將Cb`c等效變換到輸人回路(b′-e之間)和輸出回路中(c-e之間),如圖4.7.10c所示。其變換過程如下:
圖4.7.10 共射電路及其高頻小信號等效電路,(a)共射電路原理圖 (b)圖4.710a的高頻小信號等效電路
(c)圖4.7.10b的密勒等效電路 (d)圖4.7.10c的簡化電路,放大宅路的頻率響應.
簡化為圖4.7.10d的形式,其中C=Cb`e+CM1=Cb`e+(1+gmRL)Cb`c。
高頻響應和上限頻率,利用戴維寧定理將圖4.7.10d所示的電路進一步變換為圖4.7,11所示的形式,其中
ic=uyi=u・f.ukys,R=rb e‖(rbb`+Rb‖Rs)
圖4.7.11 圖4.7.10d的等效電路,這時只有輸入回路含有電容元件,它與圖4.7.2所示的RC低通電路相似。由此圖及yu與ys的關(guān)系,可得圖4.7.10a所示放大電路的高頻源電壓增益的表達式為rbe Rs+Rb‖rbe≈A rsM(4.7.27)
Au=-gmRt=1+jωRC
式中n-R=Rb‖rbc
=TRs+Rb‖rbe(中頻即通帶源電壓增益) (4.7.28)
f=2πRc(上限頻率)(⒋7.29)
A,sH的對數(shù)幅頻特性和相頻特性的表達式為201g|A嚇H|=201g|A rsM|-201g
1+(r*H) (4.7.30a)
u= -180°-arctan(y//H) (4.7.30b)
式(4.7.30b)中的-180°表示中頻范圍內(nèi)共射極放大電路的y。與ys反相,而arctan(ui)是等效電容C在高頻范圍內(nèi)引起的相移,稱為附加相移,一般放大電路的頻率響應.
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NMC27CP128Q200對交流信號短路,于是可畫出圖4.7.10a所示電路的高頻小信號等效電路,如圖4.7.10b所示。現(xiàn)按以下步驟進行分析:
求密勒電容由于電容Cb`c跨接在輸人和輸出回路之間,使電路分析較為復雜,為了方便起見,可將Cbc進行單向化處理,即將Cb`c等效變換到輸人回路(b′-e之間)和輸出回路中(c-e之間),如圖4.7.10c所示。其變換過程如下:
圖4.7.10 共射電路及其高頻小信號等效電路,(a)共射電路原理圖 (b)圖4.710a的高頻小信號等效電路
(c)圖4.7.10b的密勒等效電路 (d)圖4.7.10c的簡化電路,放大宅路的頻率響應.
簡化為圖4.7.10d的形式,其中C=Cb`e+CM1=Cb`e+(1+gmRL)Cb`c。
高頻響應和上限頻率,利用戴維寧定理將圖4.7.10d所示的電路進一步變換為圖4.7,11所示的形式,其中
ic=uyi=u・f.ukys,R=rb e‖(rbb`+Rb‖Rs)
圖4.7.11 圖4.7.10d的等效電路,這時只有輸入回路含有電容元件,它與圖4.7.2所示的RC低通電路相似。由此圖及yu與ys的關(guān)系,可得圖4.7.10a所示放大電路的高頻源電壓增益的表達式為rbe Rs+Rb‖rbe≈A rsM(4.7.27)
Au=-gmRt=1+jωRC
式中n-R=Rb‖rbc
=TRs+Rb‖rbe(中頻即通帶源電壓增益) (4.7.28)
f=2πRc(上限頻率)(⒋7.29)
A,sH的對數(shù)幅頻特性和相頻特性的表達式為201g|A嚇H|=201g|A rsM|-201g
1+(r*H) (4.7.30a)
u= -180°-arctan(y//H) (4.7.30b)
式(4.7.30b)中的-180°表示中頻范圍內(nèi)共射極放大電路的y。與ys反相,而arctan(ui)是等效電容C在高頻范圍內(nèi)引起的相移,稱為附加相移,一般放大電路的頻率響應.
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