英飛凌科技日前宣布，已為下一代使用DDR2的DRAM服務(wù)器組件成功測(cè)試了業(yè)界首顆先進(jìn)內(nèi)存緩沖器(AMB)測(cè)試芯片。這種AMB是FB-DIMMs的核心，而FB-DIMM則將會(huì)是服務(wù)器內(nèi)存的新標(biāo)準(zhǔn)。DDR2 DRAM的FB-DIMM工程測(cè)試樣本計(jì)劃在2004年第4季推出，而正式上市則計(jì)劃在2005年的下半年。

    英飛凌的AMB測(cè)試芯片首度把關(guān)鍵性的高速輸入/輸出階段與其它的高速功能一起執(zhí)行，例如是英飛凌本身的邏輯制程(logic process)技術(shù)中的資料插入(data- insertion)與資料轉(zhuǎn)送 (data-forwarding)〉線路。這種FB-DIMM標(biāo)準(zhǔn)預(yù)見(jiàn)到一項(xiàng)六倍的資料多工以及更高的速度來(lái)減少內(nèi)存通道的實(shí)體寬度，而且把傳輸延遲(throughput latency)降到最低。

    英飛凌結(jié)合本身對(duì)于高頻芯片設(shè)計(jì)與DRAM技術(shù)的專精來(lái)執(zhí)行完整的解決方案，從而在AMB與FB-DIMMs的開(kāi)發(fā)上獲得領(lǐng)導(dǎo)地位。

    （轉(zhuǎn)自  中電網(wǎng)）