兩個(gè)功率MOSFET的HAT2210WP,尺寸僅有5.3 × 6.1 × 0.8 mm (最大)，用于筆記本電腦、通信設(shè)備及類似產(chǎn)品的DC-DC變換器中。

低熱阻由于使用了WPAK高熱輻射封裝，與目前SOP-8封裝的HAT2210R相比，熱阻減小了一半�？梢钥刂频妮敵鲭娏饕蔡岣吡舜蠹s50%，因此可以減少具有高電流處理能力的DC-DC變換器所需要的功率MOSFET的數(shù)目。

與SOP-8封裝的安裝面積相同，但厚度僅有它的一半(0.8 mm (最大)。HAT2210WP需要的安裝面積與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOP-8封裝一樣，是5.3 × 6.1 mm；但厚度大約僅是它的一半，為0.8 mm (最大)，使得DC-DC變換器可以做得更小巧。

安裝在信息設(shè)備如筆記本電腦和服務(wù)器中的存儲(chǔ)器、ASIC和其它芯片需要不同的驅(qū)動(dòng)電壓，因此，需要使用一些DC-DC變換器。這些DC-DC變換器需要兩個(gè)功率MOSFET，分別用于高邊和低邊*2應(yīng)用。瑞薩科技目前大量生產(chǎn)的產(chǎn)品，具有兩個(gè)功率MOSFET，封裝形式是SOP-8封裝，可以滿足較小DC-DC變換器的需要。但是，各種芯片處理的數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，需要可以處理更大電流、安裝更多功率MOSFET的DC-DC變換器。

在這樣的背景下，瑞薩科技開發(fā)出了新型HAT2210WP，它使用WPAK高熱輻射封裝，可以提高可以控制的電流量，實(shí)現(xiàn)更高的DC-DC變換器電流容量，并減少安裝的功率MOSFET的數(shù)目。

HAT2210WP安裝在印刷電路板（40 × 40 × 1.6 mm玻璃環(huán)氧板單個(gè)功率MOSFET操作）上時(shí)的熱阻，從瑞薩科技目前SOP-8封裝產(chǎn)品的110oC/W，下降了一半，達(dá)到55oC/W。因此，可以控制的輸出電流提高了50%多，從SOP-8產(chǎn)品的3A，提高到了5 A。當(dāng)ASIC和其它芯片的驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)3 A，進(jìn)入4 A－ 5 A范圍時(shí)，單個(gè)HAT2210WP就可以控制5 A的輸出電流，而先前需要兩個(gè)SOP-8封裝的具有兩個(gè)功率MOSFET的產(chǎn)品，因此，HAT2210WP使得DC-DC變換器可以做得更小。

由于安裝了高邊和低邊功率MOSFET，使用分裂漏結(jié)構(gòu)。使用瑞薩科技最新的0.35 μm工藝的第8代功率MOSFET，具有業(yè)界的最高性能，設(shè)計(jì)時(shí)進(jìn)行了優(yōu)化，使高邊MOSFET具有高開關(guān)速度、低邊MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，因此可以實(shí)現(xiàn)很高的效率，從而滿足DC-DC變換器低壓輸出的需要。

在低邊MOSFET中有一個(gè)肖特基勢(shì)壘二極管，減小了MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管之間的接線電感*3。在DC-DC變換器死區(qū)時(shí)間過(guò)程中，可以加速肖特基勢(shì)壘二極管的換向，從而消除效率惡化，并減小噪聲。

在電路板上分配電力的傳統(tǒng)方法基本上有兩種：第一種是把48 V變成3.3 V的輸出電壓，然后再用負(fù)載點(diǎn)（POL）變換器把3.3 V變換成負(fù)載點(diǎn)所需要的電壓。一般地說(shuō)，在電路板上最需要的就是3.3 V，所以選擇3.3 V作為母線電壓，這樣做的益處是，只需要一次變換，不存在多級(jí)變換的方案中每級(jí)都存在的損耗。另外一個(gè)方法是，先把48 V變換為12 V，然后再把12 V的母線電壓變換成為負(fù)載點(diǎn)電壓，并不是直接把12 V送到負(fù)載上。這個(gè)方案比較適合功率較高的電路板使用。

這兩種分布式供電方案各有長(zhǎng)處，也各有它的缺點(diǎn)。如果電路板上主要的負(fù)載需要3.3 V的工作電壓，而且在整個(gè)電路板上有多處需要3.3 V，在這種情況下，一般是采用母線電壓為3.3 V的分布式供電系統(tǒng)。之所以采用這個(gè)方案通常是為了減少電路板上兩級(jí)電壓轉(zhuǎn)換的數(shù)量，從而提高輸出功率最大的電源的效率。但是，在使用母線電壓為3.3 V的分布式供電系統(tǒng)時(shí)，它還為每個(gè)負(fù)載點(diǎn)變換器供給電力。這些負(fù)載點(diǎn)變換器產(chǎn)生其他負(fù)載所需要的工作電壓。另一個(gè)問(wèn)題是，3.3 V輸出需要在電路中使用一只控制順序的FET晶體管。

在線路卡上，大多數(shù)工作電壓需要對(duì)接通電源和切斷電源的順序加以控制。 在這種分布式系統(tǒng)中，只能用電路中的順序控制FET晶體管來(lái)進(jìn)行控制。因?yàn)樵诟綦x式轉(zhuǎn)換器中，沒(méi)有對(duì)輸出電壓的上升速度進(jìn)行控制。在電路中的順序控制FET晶體管只是在啟動(dòng)和切斷電源時(shí)才用得上。在其他時(shí)間，這些FET晶體管存在直流損失，會(huì)影響效率，增加了元件數(shù)量，也提高了成本。由于工作電壓一年一年地在下降，在將來(lái)，工作電壓將下降到2.5 V。

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