英特爾今日宣布將在2005年生產(chǎn)65納米的芯片(1納米等于十億分之一米)，同時(shí)70兆的SRAM也已經(jīng)開始生產(chǎn)。此舉不僅標(biāo)志著英特爾的突破，而且捍衛(wèi)了摩爾定律在芯片領(lǐng)域的存在，因此具有非同尋常的意義。根據(jù)該定律，芯片晶體管的密度每18-24月便會(huì)增加一倍。     作為芯片行業(yè)的領(lǐng)頭羊，英特爾在從130納米工藝轉(zhuǎn)到現(xiàn)在的90納米產(chǎn)品時(shí)，曾面臨許多問題，公司不得不竭盡全力；而本次推出更復(fù)雜的65納米技術(shù)卻顯得非常迅速，因此業(yè)內(nèi)人士普遍對此感到驚訝。因?yàn)閱问切酒w管的門控(Gate)，就縮小到35納米，比90納米芯片的門控小30%左右。而每100個(gè)這樣的門控正好等于一個(gè)人類紅血球細(xì)胞的直徑。此外，英特爾開發(fā)SRAM不是為了出售，而是用來對制造技術(shù)的開發(fā)進(jìn)行測試。SRAM上的1000萬個(gè)晶體管大致有1平方毫米那么大，相當(dāng)于圓珠筆尖的大小。

    對戴爾、惠普、Gateway等PC制造商而言，更小的芯片能耗更少，而且散熱方便，設(shè)計(jì)的彈性更大，性能也可以進(jìn)一步提升。不過，隨著晶體管越來越小，越來越密集，晶體管漏電的問題也日益顯現(xiàn)。對此英特爾于2002年推出了一種應(yīng)變硅技術(shù)(strained silicon)，該技術(shù)經(jīng)過改進(jìn)后，不光能控制90納米芯片的漏電問題，對65納米的產(chǎn)品也行之有效。目前，英特爾的競爭對手AMD也在90納米的芯片制造過程中使用了應(yīng)變硅技術(shù)。此外，英特爾還使用了其他的技術(shù)來節(jié)約能耗，如暫時(shí)關(guān)閉芯片上的閑置區(qū)域，以降低功耗，更有利于散熱。

    預(yù)計(jì)上述信息的披露，將使得英特爾的股價(jià)在9月2日電話會(huì)議之前出現(xiàn)上漲。有的分析機(jī)構(gòu)對英特爾2005年的盈利能力表示擔(dān)憂，也有機(jī)構(gòu)認(rèn)為英特爾的表現(xiàn)已經(jīng)超出了股價(jià)。上周五英特爾報(bào)收于22.02美元，上漲了25美分。

    按照計(jì)劃，2007年英特爾將進(jìn)一步從65納米進(jìn)化到45納米工藝，公司也正在研究如何將應(yīng)變硅技術(shù)與其他工藝結(jié)合起來。有關(guān)分析人士指出，近年來隨著科技水平的提升，許多人認(rèn)為莫爾定律的周期將逐步放緩，甚至可能逐步消亡，而英特爾使得兩年的摩爾定律周期得以重新捍衛(wèi)。