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芯片制造突破30納米 莫爾定律延續(xù)成為可能

發(fā)布時(shí)間:2007/9/1 0:00:00 訪問次數(shù):314

遠(yuǎn)紫外線光刻技術(shù)能讓芯片制造商生產(chǎn)尺寸小于30納米的電路,而這也讓摩爾定律的延續(xù)成為可能。

    對(duì)摩爾定律的擔(dān)憂從上世紀(jì)90年代就開始了,連英特爾公司也感到了壓力。該公司制造技術(shù)部副總裁兼制造技術(shù)工程部總經(jīng)理Jai Hakhu在日前舉行的3i iSight Semiconductor Event(由風(fēng)險(xiǎn)投資公司3i公司和無晶圓廠半導(dǎo)體協(xié)會(huì)共同發(fā)起的會(huì)議)上警告,“如果半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商不能設(shè)計(jì)出創(chuàng)新的和可承受的解決方案,摩爾定律將會(huì)受到阻礙!  

    要讓芯片中的晶體管數(shù)量每隔18個(gè)月翻一番,就必須實(shí)現(xiàn)在一個(gè)硅晶圓上加載更多更小的晶體管和更精細(xì)的微結(jié)構(gòu)。芯片行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)英特爾公司的“2009年32納米、2011年22納米”的規(guī)劃向我們表明了這種趨勢,但技術(shù)人員都深知,他們必須把希望寄托在一些切實(shí)可行的技術(shù)上。英特爾在8月3日公布的兩項(xiàng)成果讓人們看到了一些希望。  

    這兩項(xiàng)被英特爾稱為“里程碑式的突破”的成果均在EUV(遠(yuǎn)紫外線,或者極紫外線)光刻技術(shù)領(lǐng)域,該公司安裝了全球第一套商用EUV光刻工具,并建立了一條EUV掩膜試生產(chǎn)線。簡單來說,EUV光刻技術(shù)就是用遠(yuǎn)紫外線來實(shí)現(xiàn)芯片制造的光刻工藝。英特爾的工程師宣稱,他們已經(jīng)運(yùn)用該技術(shù)“朝著2009年實(shí)現(xiàn)32納米制程的方向邁出了重要的一步”。英特爾技術(shù)和制造事業(yè)部組件研發(fā)總監(jiān)Ken David表示:“這將有助于我們繼續(xù)將摩爾定律的優(yōu)勢在未來十年得到延續(xù)!  

    (轉(zhuǎn)自  中國電子元器件網(wǎng))

遠(yuǎn)紫外線光刻技術(shù)能讓芯片制造商生產(chǎn)尺寸小于30納米的電路,而這也讓摩爾定律的延續(xù)成為可能。

    對(duì)摩爾定律的擔(dān)憂從上世紀(jì)90年代就開始了,連英特爾公司也感到了壓力。該公司制造技術(shù)部副總裁兼制造技術(shù)工程部總經(jīng)理Jai Hakhu在日前舉行的3i iSight Semiconductor Event(由風(fēng)險(xiǎn)投資公司3i公司和無晶圓廠半導(dǎo)體協(xié)會(huì)共同發(fā)起的會(huì)議)上警告,“如果半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商不能設(shè)計(jì)出創(chuàng)新的和可承受的解決方案,摩爾定律將會(huì)受到阻礙!  

    要讓芯片中的晶體管數(shù)量每隔18個(gè)月翻一番,就必須實(shí)現(xiàn)在一個(gè)硅晶圓上加載更多更小的晶體管和更精細(xì)的微結(jié)構(gòu)。芯片行業(yè)的風(fēng)向標(biāo)英特爾公司的“2009年32納米、2011年22納米”的規(guī)劃向我們表明了這種趨勢,但技術(shù)人員都深知,他們必須把希望寄托在一些切實(shí)可行的技術(shù)上。英特爾在8月3日公布的兩項(xiàng)成果讓人們看到了一些希望。  

    這兩項(xiàng)被英特爾稱為“里程碑式的突破”的成果均在EUV(遠(yuǎn)紫外線,或者極紫外線)光刻技術(shù)領(lǐng)域,該公司安裝了全球第一套商用EUV光刻工具,并建立了一條EUV掩膜試生產(chǎn)線。簡單來說,EUV光刻技術(shù)就是用遠(yuǎn)紫外線來實(shí)現(xiàn)芯片制造的光刻工藝。英特爾的工程師宣稱,他們已經(jīng)運(yùn)用該技術(shù)“朝著2009年實(shí)現(xiàn)32納米制程的方向邁出了重要的一步”。英特爾技術(shù)和制造事業(yè)部組件研發(fā)總監(jiān)Ken David表示:“這將有助于我們繼續(xù)將摩爾定律的優(yōu)勢在未來十年得到延續(xù)!  

    (轉(zhuǎn)自  中國電子元器件網(wǎng))

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