任意波形發(fā)生器在雷達(dá)、通信領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下，波形的存儲深度很難做得很大，從而不能精確地表達(dá)復(fù)雜信號。基于動態(tài)存儲器（SDRAM）的設(shè)計(jì)能有效解決這一問題，一種簡化SDRAM控制器的設(shè)計(jì)方法。

任意波形發(fā)生器的總體方案,工作頻率、分辨率和存儲長度是任意波形發(fā)生器最關(guān)鍵的三個性能參數(shù)。高的工作頻率意味著高的輸出信號頻率和帶寬，高的分辨率通常意味著高的信噪比，而存儲長度決定了信號的精確程度。下面介紹的方案是實(shí)際開發(fā)的一款任意波形發(fā)生器/卡，它的工作頻率為300MHz，分辨率為14位，存儲長度為8M字，現(xiàn)已得到了廣泛地應(yīng)用。

電路主要有兩種工作狀態(tài)：寫數(shù)據(jù)狀態(tài)和讀數(shù)據(jù)狀態(tài)。下面簡單描述其工作過程。

寫數(shù)據(jù)狀態(tài)：CPU根據(jù)所要設(shè)計(jì)的波形計(jì)算波形數(shù)據(jù)，并轉(zhuǎn)換成14位的無符號數(shù)；打開總線開關(guān)，屏蔽FIFO操作，在SDRAM控制器的配合下，將波形數(shù)據(jù)通過接口電路交替寫入SDRAM1和SDRAM2中，即SDRAM1中依次存放數(shù)據(jù)0，2，4，6...；SDRAM2中依次存放數(shù)據(jù)1，3，5，7...。

制造商

Samsung Electro-Mechanics

制造商零件編號

CL31B104KACNBNC

描述

CAP ARRAY 0.1UF 25V X7R 1206

對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）

詳細(xì)描述 0.1μF-隔離-Capacitor-pval-2081-Array-pval-2079-X7R-1206（3216-公制）

電容 0.1μF

容差 ±10%

電壓 - 額定 25V

介電材料 陶瓷

電容器數(shù) 4

電路類型 隔離

溫度系數(shù) X7R

等級 -

安裝類型 表面貼裝

封裝/外殼 1206（3216 公制）

大小/尺寸 0.126" 長 x 0.063" 寬（3.20mm x 1.60mm）

高度 - 安裝（最大值） 0.039"（1.00mm）

從毫安到微安再到皮安，隨著電子技術(shù)的發(fā)展，以及市場對于低功耗的需求，電子設(shè)備的電流水平有往小發(fā)展的趨勢，比如手機(jī)電池待機(jī)電流（10−3 A）、光電二極管暗電流（10−12 A）、OLED的像素電流（10−12 A）等。而如何精確測量出微弱電流，則成了一道避不開的難題。為穿過這片“無人區(qū)”，測量出pA等級的電流，我們必須踏入小數(shù)點(diǎn)后15位（fA等級）的世界。然而，這片了無人煙的區(qū)域并不是那么好踏足，路上的荊棘羈絆是難免的，需克服重重挑戰(zhàn)才能成功到達(dá)終點(diǎn)。

要考慮的便是測量中的偏置電流問題。當(dāng)輸入端開路時，理想電流計(jì)的讀數(shù)應(yīng)當(dāng)為零。然而，實(shí)際的電流計(jì)在輸入端開路時有一些小的電流。這些電流是由有源器件的偏置電流以及流過儀器內(nèi)部的絕緣材料的泄漏電流所引起的。

待測電流小到1pA，而構(gòu)成電流計(jì)的器件之一—運(yùn)算放大器的偏置電流卻達(dá)到100pA，我們還能愉快地測出待測電流大小嗎？因?yàn)樾盘枺ù郎y電流）已被誤差電流（偏置電流）掩蓋，除非我們能將偏置電流控制在fA水平。

包括很多設(shè)計(jì)上，工藝上的細(xì)節(jié)都會對測量結(jié)果造成很大的影響。比如噪聲、電介質(zhì)吸收、泄漏電流、絕緣、屏蔽、PCB材料，甚至電纜等。

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