電源管理IC的通道1直接連接到最大40V的電源電壓，用作次級(jí)同步降壓穩(wěn)壓器和LDO的主控制器。為了增加電路設(shè)計(jì)的靈活性，可以將兩個(gè)次級(jí)穩(wěn)壓器之一切換到LDO模式。每個(gè)控制器都有自己的電源良好(power-good)引腳和使能輸入，從而可以在系統(tǒng)上電階段精確地控制輸出電壓。 NJW4750可以通過(guò)外部同步輸入或內(nèi)部振蕩器進(jìn)行控制，該振蕩器的頻率范圍為280kHz至2.4MHz，可以使用緊湊型線(xiàn)圈。

在-40°C至125°C溫度范圍內(nèi)，NJW4750非常適合在最大40V輸入電壓下生成3.3V電源，以及2.8V(LDO)、1.8V(通道2)和1.2V(通道3)的導(dǎo)出電壓。

電源管理IC的應(yīng)用包括工業(yè)控制、相機(jī)系統(tǒng)、IoT板、光電傳感器、單板控制器，尤其適合用于緊湊型外設(shè)和傳感器。

單頻段的RFID技術(shù)，不能滿(mǎn)足遠(yuǎn)近系統(tǒng)精準(zhǔn)化的管理以及其他業(yè)務(wù)需求[1]。有些公司提出把兩個(gè)單頻的電子標(biāo)簽復(fù)合在一起組成一個(gè)雙頻的電子標(biāo)簽，雖然在一定程度上滿(mǎn)足了業(yè)務(wù)需求，但兩個(gè)單頻的標(biāo)簽相互獨(dú)立，使用起來(lái)不方便。本文提出一種集成的雙頻RFID電子標(biāo)簽芯片，可以把兩個(gè)或多個(gè)頻段的電子標(biāo)簽集成在一顆芯片里，使兩個(gè)頻段共用芯片的電源、中央控制邏輯電路和存儲(chǔ)器，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)頻段的相互協(xié)調(diào)工作，避免兩個(gè)頻段同時(shí)工作產(chǎn)生電源沖突和讀寫(xiě)存儲(chǔ)器的沖突問(wèn)題。

現(xiàn)有的雙頻RFID標(biāo)簽解決方案,針對(duì)現(xiàn)有的單頻段RFID電子標(biāo)簽不能同時(shí)滿(mǎn)足遠(yuǎn)近距離、高速識(shí)別、高穿透力的應(yīng)用需求，行業(yè)提出一種復(fù)合的雙頻RFID電子標(biāo)簽，如圖1所示，復(fù)合的電子標(biāo)簽包括兩個(gè)部分：第一頻段的電子標(biāo)簽和第二頻段的電子標(biāo)簽，兩個(gè)頻段的標(biāo)簽相互獨(dú)立，它們有各自的芯片和天線(xiàn)，它們組合在一起封裝在一個(gè)裝配體（標(biāo)簽外殼）中形成一個(gè)雙頻段電子標(biāo)簽[2]。雖然兩個(gè)頻段的標(biāo)簽相互獨(dú)立，但在實(shí)際應(yīng)用中它們的數(shù)據(jù)需要相互關(guān)聯(lián)或共享，就需要在兩個(gè)標(biāo)簽芯片中寫(xiě)入相同的數(shù)據(jù)，比如TID和UID數(shù)據(jù)，即相同的數(shù)據(jù)需要寫(xiě)兩遍。 

半橋和全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器的行業(yè)首款FDMF8811 100 V橋式功率級(jí)模,與分立方案相比，F(xiàn)DMF8811減少DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)所需的板面積約三分之一，使工程師能夠設(shè)計(jì)更小的系統(tǒng)。通過(guò)集成所有的關(guān)鍵功率器件，安森美半導(dǎo)體優(yōu)化了設(shè)計(jì)，以保持盡可能高的能效。FDMF8811使云應(yīng)用如無(wú)線(xiàn)基站、功率模塊或任意載板、隔離型DC-DC轉(zhuǎn)換器和工業(yè)應(yīng)用如電機(jī)、風(fēng)機(jī)和暖通空調(diào)(HVAC)實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度。

安森美半導(dǎo)體具有獨(dú)一無(wú)二的地位以解決整個(gè)云生態(tài)系統(tǒng)，該獎(jiǎng)項(xiàng)認(rèn)同我司對(duì)該領(lǐng)域的堅(jiān)定承諾和投資。我們很榮幸新的100 V橋功率級(jí)模塊贏(yíng)得“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”。我們將繼續(xù)投資于寬廣的產(chǎn)品陣容，在電源管理領(lǐng)域以創(chuàng)新的方案解決客戶(hù)的難點(diǎn)。

每年的Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)項(xiàng)通過(guò)專(zhuān)家評(píng)委會(huì)嚴(yán)格的評(píng)估和推薦程序鑒別一系列電源產(chǎn)品。評(píng)審提名產(chǎn)品的3個(gè)主要標(biāo)準(zhǔn)為：創(chuàng)新設(shè)計(jì)、性?xún)r(jià)比及技術(shù)突破。

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