集成低頻段（LF）和超高頻段(UHF)的無源雙頻RFID標簽芯片電路。低頻段遵守ISO 11784和ISO 11785協(xié)議標準，超高頻段遵守ISO 18000-6C協(xié)議標準。芯片有低頻端口和超高頻端口，分別接低頻標簽天線和超高頻標簽天線，接收低頻和超高頻射頻信號。兩個射頻端口可單獨連接低頻或超高頻天線制成低頻或超高頻單頻段電子標簽，也可以同時連接一個低頻天線和一個超高頻天線制成雙頻電子標簽。當該芯片制成雙頻電子標簽時，在低頻和超高頻同時激活時，低頻工作優(yōu)先，芯片會自動切換到低頻工作模式；在只有一種低頻或超高頻單獨激活時，該電子標簽芯片自動選擇相對應頻段的工作模式。

芯片的低頻段和超高頻段共用存儲器，有相同的TID號，相同的數(shù)據(jù)只需寫一次即可，并且存儲用戶區(qū)的數(shù)據(jù)共享。

電源管理模塊雙頻RFID標簽芯片方案中，解決兩個頻段同時工作時產(chǎn)生電源沖突和讀寫存儲器沖突問題的關鍵在于電源管理模塊。使用統(tǒng)一的電源供電和狀態(tài)檢測，使各種沖突問題迎刃而解。因此下面重點闡述雙頻RFID標簽芯片的電源管理電路，對于單個頻段的射頻前端電路。

兩個頻段既可以單獨工作，也可以同時工作，因此芯片既可以由低頻端口的磁場供電，也可以由超高頻端口的電磁場供電，并且兩邊的供電壓都有較大的變化范圍。芯片電源管理電路的功能就是管理低頻和超高頻的供電電源，使它們對系統(tǒng)供電時不產(chǎn)生沖突。當標簽處于低頻磁場中，LF狀態(tài)檢測電路檢測低頻段的電壓，當其達到設定的電壓閾值時就輸出低頻激活狀態(tài)信號，使數(shù)字電路切換到低頻工作模式，實現(xiàn)低頻工作優(yōu)先，解決兩個頻段同時讀存儲器的沖突問,題。

UHF端的整流電路超高頻端的電源恢復電路采用電荷泵整流電路。將從天線接收下來的UHF射頻信號恢復出直流電源VDU，為芯片的后續(xù)電路提供原始的電源。采用Dickson倍壓電路結構,MOS管采用二極管接法。

當超高頻端和低頻端同時被激活時，LF_flag為高電平，節(jié)點V1為低電平，V2為高電平，MP1截止，MP2和MP3導通，此時VDU和VDL同時為芯片供電，由于芯片設計成低頻工作優(yōu)先，因此此時的芯片工作在低頻優(yōu)先工作狀態(tài)。通過開關管MP3使VDU和VDL斷開，避免了低頻端的整流電源與超高頻端的整流電流直接連接在一起，有效地避免了因為低頻端口的低頻天線產(chǎn)生的干擾信號通過電源線流竄到超高頻端而導致超高頻端靈敏度下降的問題。

電源整合后的電源電壓還有很大的波動，為了防止電壓太高而損壞芯片，需要增加一個起電壓保護作用的泄流電路，當電壓超過設定電壓時就泄放掉部分電荷，使電源電壓降。

基準電壓源、運算放大器AMP1、PMOS晶體管MP6、R1和R2、電容CL構成電壓調節(jié)電路，基準電壓源是一個與電源電壓無關的參考源。輸出電源VDD電壓經(jīng)電阻R1和R2分壓后與基準電壓相比較，通過運算放大器AMP1放大其差值來控制MP6晶體管的柵極電壓，使得輸出電壓VDD與基準電壓源的輸出電壓保持相對穩(wěn)定的狀態(tài)。

雙頻RFID電子標簽芯片電路基于某代工廠 0.18 μm的標準CMOS工藝設計并流片。芯片的電源整合及電壓調節(jié)電路的仿真結果，在500 μs之前電路由超高頻端供電，此時VDU供電電壓為2.2 V，VDD輸出電壓為1.18 V，LF_flag為低電平，VDL為低電壓，雖然VDL上有很大的干擾信號，但由于此時圖5中MP3晶體管處于截止狀態(tài)，VDL與VDU斷開，VDL上的干擾信號對VDU沒有產(chǎn)生影響；在500 μs之后VDL電壓為2.7 V，LF_flag為高電平，此時由低頻端供電或者由低頻端和超高端同時供電，VDU的電壓取兩個輸入電壓的較高者。不管是由低頻端供電還是由超高頻端供電，VDD輸出穩(wěn)定的電壓為整個芯片電路供電。