ST還將L5在字符識(shí)別應(yīng)用中如何處理動(dòng)態(tài)解密(OTFDEC)。該演示將神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和軟件庫(kù)存放在外部閃存內(nèi)。演示應(yīng)用曾經(jīng)運(yùn)行在STM32L4上。不過(guò)，因?yàn)镾TM32L5性能優(yōu)異，OTFDEC沒(méi)有導(dǎo)致應(yīng)用性能下降。這款新MCU還具有更高的能效。

計(jì)劃將許多安全軟件解決方案整合在一起，讓它們變得更易用。通過(guò)此次STM32全國(guó)研討會(huì)，將會(huì)有更多用戶(hù)更詳細(xì)地了解我們的安全解決方案。工程師們也將有機(jī)會(huì)廣泛且深入地探討當(dāng)前火熱的安全啟動(dòng)和安全固件更新系統(tǒng)，以及ST在安全固件安裝、安全模塊安裝等方面的最新解決方案。針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)安全這一復(fù)雜棘手的難題，ST還將推廣有助于開(kāi)發(fā)工作的文檔和軟件擴(kuò)展包。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 模塊

RoHS: 詳細(xì)信息

產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules

配置: Dual

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V

集電極—射極飽和電壓: 2.1 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 900 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

Pd-功率耗散: 5.1 kW

封裝 / 箱體: PRIME2

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

封裝: Tray

高度: 38 mm

長(zhǎng)度: 172 mm

技術(shù): Si

寬度: 89 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

安裝風(fēng)格: Chassis Mount

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

產(chǎn)品類(lèi)型: IGBT Modules

工廠包裝數(shù)量: 3

子類(lèi)別: IGBTs

零件號(hào)別名: FF900R12IP4BOSA2 SP000609750 FF900R12IP4BOSA2

單位重量: 825 g

ST還將推出面向國(guó)內(nèi)大學(xué)生的STM32與AWS 物聯(lián)網(wǎng)課程。通過(guò)這些課程，學(xué)生將熟悉可以快速啟動(dòng)學(xué)校開(kāi)發(fā)項(xiàng)目的硬件、固件和Web服務(wù)。該系列課程概述了物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施，并介紹了如何將我們的解決方案與AWS一起整合使用。該課程系統(tǒng)覆蓋面非常廣泛，可以創(chuàng)建數(shù)據(jù)分析、狀態(tài)監(jiān)視和預(yù)測(cè)性維護(hù)應(yīng)用，參會(huì)者將可以掃描二維碼下載這些課程。

電控系統(tǒng)中多采用含有＋12V同＋24V兩種輸出電壓等級(jí)的開(kāi)關(guān)電源。不過(guò)需要著重指出的是，在實(shí)際使用控制過(guò)程中，往往因控制對(duì)象不同，為了防止干擾等不利因素，開(kāi)關(guān)電源輸出端不同電壓等級(jí)間的“GND／COM”端，還分為共用式和獨(dú)立式兩類(lèi)。在選擇使用時(shí)，我們應(yīng)結(jié)合實(shí)際情況有針對(duì)性地選取使用。

開(kāi)關(guān)電源在實(shí)際使用過(guò)程中一個(gè)需要格外注意的事項(xiàng)，在驅(qū)動(dòng)電磁式繼電器此類(lèi)在關(guān)斷瞬間會(huì)產(chǎn)生極高反向電動(dòng)勢(shì)的（等效為）電感負(fù)載時(shí)，我們需要在這類(lèi)器件的線圈兩端反并一支二極管（通常選擇型號(hào)為1N4007），用以泄放掉反向電動(dòng)勢(shì)，這支二極管被稱(chēng)為：續(xù)流二極管。繼而避免開(kāi)關(guān)電源因此發(fā)生損壞.

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