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超高集成度的SOC芯片同步整流控制器

發(fā)布時(shí)間:2020/8/22 23:35:00 訪問(wèn)次數(shù):1379

INN650D02 “InnoGaN”開(kāi)關(guān)管基于業(yè)界領(lǐng)先的8英寸生產(chǎn)加工工藝,是目前市面上最先量產(chǎn)的先進(jìn)制程氮化鎵功率器件,這項(xiàng)技術(shù)的大規(guī)模商用將推動(dòng)氮化鎵快充的快速普及。

次級(jí)側(cè)采用一顆同樣出自于美思迪賽半導(dǎo)體的另一顆超高集成度的SOC芯片,型號(hào)為MX5420。這顆芯片的最大特點(diǎn)是其在一個(gè)引腳極少的SOP-10的封裝內(nèi)同時(shí)放進(jìn)去了快充協(xié)議識(shí)別控制和同步整流控制器。協(xié)議方面除支持USB PD3.0規(guī)范外,還兼容QC3.0、華為FCP、三星AFC,展訊SFCP以及BC1.2、Apple 2.4A等快充協(xié)議;并內(nèi)置了手機(jī)移除后快速放電電路。

集成同步整流控制器和PD3.0等豐富快充協(xié)議控制器的SOC芯片,而且從相關(guān)的兼容性測(cè)試結(jié)果來(lái)看,這顆芯片有著非常優(yōu)異的快充協(xié)議兼容性,這也可以從側(cè)面反映出美思迪賽半導(dǎo)體強(qiáng)悍電路整合及研發(fā)實(shí)力。

MX5420搭載了美思迪賽半導(dǎo)體專有的Smart-Feedback技術(shù),采用數(shù)字算法把傳統(tǒng)初次級(jí)電壓及電流RC環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)直接省去。同時(shí)因?yàn)镾mart-Feedback加持,沒(méi)有傳統(tǒng)反饋環(huán)路系統(tǒng)不穩(wěn)定的問(wèn)題,工程師在采用MIX-DESiGN美思迪賽MX5420設(shè)計(jì)時(shí)不需要要考慮難調(diào)的環(huán)路增益和反饋裕度,因此得益于該公司Smart-Feedback的技術(shù),除了電路能更加簡(jiǎn)潔,同時(shí)更大大節(jié)省工程師的開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本。

美思迪賽65W氮化鎵快充方案裝入外殼進(jìn)行簡(jiǎn)單的上電測(cè)試,ChargerLAB POWER-Z KT002檢測(cè)到該方案支持Apple2.4A、Samsung5V/2A、QC3.0、QC2.0、DCP、AFC、FCP等多動(dòng)協(xié)議。

方案支持USB PD3.0 PPS協(xié)議,其中固定電壓輸出檔位為5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A;PPS電壓檔位為3.3-21V/3A。

使用這套方案ANKER 60W移動(dòng)電源充電,顯示電壓20.39V,電流2.9A,充電功率約為59.3W,移動(dòng)電源接近全速充電。

iPhone 11 Pro Max充電,顯示電壓9.28V,電流2.08A,充電功率約為19.4W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充。

三星S20 Ultra充電,顯示電壓9.29V,電流1.51A,充電功率約為14.1W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充。

小米10 Pro充電,顯示電壓5.21V,電流2.79A,充電功率約為14.6W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充5V充電模式。

華為P30 Pro充電,顯示電壓9.27V,電流1.26A,充電功率約為11.7W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充模式。

魅族17 Pro充電,顯示電壓9.28V,電流2.03A,充電功率約為18.9W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充模式。

全球范圍內(nèi)成為繼TI和安森美之后的第三家推出氮化鎵驅(qū)動(dòng)的公司。打破了外企長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)氮化鎵控制和驅(qū)動(dòng)器的壟斷地位,大大加速了氮化鎵快充技術(shù)的本土化進(jìn)程。

美思迪賽半導(dǎo)體在傳統(tǒng)的AC-DC非快充市場(chǎng)已取得不錯(cuò)占率和口碑,并已成為了多個(gè)知名手機(jī)品牌標(biāo)配快充電源的的主力芯片供應(yīng)商。

從搭載美思迪賽MX6535的氮化鎵快充方案來(lái)看,雖然具備最大65W的輸出能力,但整體方案的體積非常小巧。這一方面得益于MX6535內(nèi)置了氮化鎵驅(qū)動(dòng),并消除了傳統(tǒng)的二次反饋電路;另一方面也得益于搭配了自家的次級(jí)芯片MX5420,內(nèi)置同步整流控制器和協(xié)議識(shí)別,并通過(guò)數(shù)字算法把傳統(tǒng)初次級(jí)電壓及電流RC環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)直接省去,而且亮點(diǎn)是MX5420完成所有快充復(fù)雜的功能的同時(shí)竟然然只有區(qū)區(qū)10個(gè)PIN腳。

美思迪賽半導(dǎo)體這套氮化鎵快充方案具有非常強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。其特點(diǎn)就是,僅需要一塊小PCB板就能實(shí)現(xiàn)65W輸出,打破了傳統(tǒng)氮化鎵充電器內(nèi)部復(fù)雜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。開(kāi)發(fā)更簡(jiǎn)單、用料更精簡(jiǎn)、綜合成本更低?梢韵胂笠訫X6535的超強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力,將在未來(lái)的氮化鎵市場(chǎng)贏得不錯(cuò)的市場(chǎng)份額。


(素材來(lái)源:21ic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


INN650D02 “InnoGaN”開(kāi)關(guān)管基于業(yè)界領(lǐng)先的8英寸生產(chǎn)加工工藝,是目前市面上最先量產(chǎn)的先進(jìn)制程氮化鎵功率器件,這項(xiàng)技術(shù)的大規(guī)模商用將推動(dòng)氮化鎵快充的快速普及。

次級(jí)側(cè)采用一顆同樣出自于美思迪賽半導(dǎo)體的另一顆超高集成度的SOC芯片,型號(hào)為MX5420。這顆芯片的最大特點(diǎn)是其在一個(gè)引腳極少的SOP-10的封裝內(nèi)同時(shí)放進(jìn)去了快充協(xié)議識(shí)別控制和同步整流控制器。協(xié)議方面除支持USB PD3.0規(guī)范外,還兼容QC3.0、華為FCP、三星AFC,展訊SFCP以及BC1.2、Apple 2.4A等快充協(xié)議;并內(nèi)置了手機(jī)移除后快速放電電路。

集成同步整流控制器和PD3.0等豐富快充協(xié)議控制器的SOC芯片,而且從相關(guān)的兼容性測(cè)試結(jié)果來(lái)看,這顆芯片有著非常優(yōu)異的快充協(xié)議兼容性,這也可以從側(cè)面反映出美思迪賽半導(dǎo)體強(qiáng)悍電路整合及研發(fā)實(shí)力。

MX5420搭載了美思迪賽半導(dǎo)體專有的Smart-Feedback技術(shù),采用數(shù)字算法把傳統(tǒng)初次級(jí)電壓及電流RC環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)直接省去。同時(shí)因?yàn)镾mart-Feedback加持,沒(méi)有傳統(tǒng)反饋環(huán)路系統(tǒng)不穩(wěn)定的問(wèn)題,工程師在采用MIX-DESiGN美思迪賽MX5420設(shè)計(jì)時(shí)不需要要考慮難調(diào)的環(huán)路增益和反饋裕度,因此得益于該公司Smart-Feedback的技術(shù),除了電路能更加簡(jiǎn)潔,同時(shí)更大大節(jié)省工程師的開(kāi)發(fā)時(shí)間和成本。

美思迪賽65W氮化鎵快充方案裝入外殼進(jìn)行簡(jiǎn)單的上電測(cè)試,ChargerLAB POWER-Z KT002檢測(cè)到該方案支持Apple2.4A、Samsung5V/2A、QC3.0、QC2.0、DCP、AFC、FCP等多動(dòng)協(xié)議。

方案支持USB PD3.0 PPS協(xié)議,其中固定電壓輸出檔位為5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/3.25A;PPS電壓檔位為3.3-21V/3A。

使用這套方案ANKER 60W移動(dòng)電源充電,顯示電壓20.39V,電流2.9A,充電功率約為59.3W,移動(dòng)電源接近全速充電。

iPhone 11 Pro Max充電,顯示電壓9.28V,電流2.08A,充電功率約為19.4W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充。

三星S20 Ultra充電,顯示電壓9.29V,電流1.51A,充電功率約為14.1W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充。

小米10 Pro充電,顯示電壓5.21V,電流2.79A,充電功率約為14.6W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充5V充電模式。

華為P30 Pro充電,顯示電壓9.27V,電流1.26A,充電功率約為11.7W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充模式。

魅族17 Pro充電,顯示電壓9.28V,電流2.03A,充電功率約為18.9W,正常進(jìn)入U(xiǎn)SB PD快充模式。

全球范圍內(nèi)成為繼TI和安森美之后的第三家推出氮化鎵驅(qū)動(dòng)的公司。打破了外企長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)氮化鎵控制和驅(qū)動(dòng)器的壟斷地位,大大加速了氮化鎵快充技術(shù)的本土化進(jìn)程。

美思迪賽半導(dǎo)體在傳統(tǒng)的AC-DC非快充市場(chǎng)已取得不錯(cuò)占率和口碑,并已成為了多個(gè)知名手機(jī)品牌標(biāo)配快充電源的的主力芯片供應(yīng)商。

從搭載美思迪賽MX6535的氮化鎵快充方案來(lái)看,雖然具備最大65W的輸出能力,但整體方案的體積非常小巧。這一方面得益于MX6535內(nèi)置了氮化鎵驅(qū)動(dòng),并消除了傳統(tǒng)的二次反饋電路;另一方面也得益于搭配了自家的次級(jí)芯片MX5420,內(nèi)置同步整流控制器和協(xié)議識(shí)別,并通過(guò)數(shù)字算法把傳統(tǒng)初次級(jí)電壓及電流RC環(huán)路補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)直接省去,而且亮點(diǎn)是MX5420完成所有快充復(fù)雜的功能的同時(shí)竟然然只有區(qū)區(qū)10個(gè)PIN腳。

美思迪賽半導(dǎo)體這套氮化鎵快充方案具有非常強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。其特點(diǎn)就是,僅需要一塊小PCB板就能實(shí)現(xiàn)65W輸出,打破了傳統(tǒng)氮化鎵充電器內(nèi)部復(fù)雜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。開(kāi)發(fā)更簡(jiǎn)單、用料更精簡(jiǎn)、綜合成本更低。可以想象以MX6535的超強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力,將在未來(lái)的氮化鎵市場(chǎng)贏得不錯(cuò)的市場(chǎng)份額。


(素材來(lái)源:21ic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


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