有助于傳感器的輕松安裝，并且還可以減少所需的包裝空間。緊湊的設(shè)計(jì)特別適用于測(cè)量壓入力或沖壓力以及分流器中的大力，以及用于小型測(cè)功機(jī)。由于其堅(jiān)固性，這些傳感器還非常適合監(jiān)視動(dòng)態(tài)力，現(xiàn)在可以進(jìn)行幾分鐘的測(cè)量。

每個(gè)傳感器的可追溯性。傳感器的數(shù)據(jù)表中都包含了剛度，固有頻率和溫度靈敏度系數(shù)，以便在執(zhí)行具有挑戰(zhàn)性的測(cè)量任務(wù)時(shí)為測(cè)量工程師提供更多信息。

Parallel NAND Flash 兼容傳統(tǒng)的并行接口標(biāo)準(zhǔn)，適合大數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)，工藝制程24nm即將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

在NAND Flash領(lǐng)域，24nm是目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的工藝制程，東芯半導(dǎo)體在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的24nm的工藝制程上也有突破。

東芯的24nm Parallel NAND Flash在訪問(wèn)速率及功耗都更具優(yōu)勢(shì)，關(guān)鍵技術(shù)且都具有自主專利。

產(chǎn)品規(guī)格：

容量：1Gb/2Gb/4Gb/8Gb

電壓：1.8V/3.3V

溫度：-40°C~85°C

線寬：x8/x16

速度：20ns/25ns,30ns/45ns

封裝：TSOP48,VFBGA63,VFBGA67,KGD

先進(jìn)工藝制程，嚴(yán)格產(chǎn)品把控

24nm先進(jìn)工藝制程�？s小器件的特征尺寸，降低功耗，降低成本，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

功能上對(duì)標(biāo)同類產(chǎn)品，合格jedec標(biāo)準(zhǔn)，接口及操作時(shí)序均一致，設(shè)置超過(guò)500項(xiàng)的仿真驗(yàn)證項(xiàng)，確保設(shè)計(jì)成功，可直接進(jìn)行國(guó)產(chǎn)替代。主要產(chǎn)品指標(biāo)比如電壓，接口位寬，page size，Random access time，Page program time，data retention等也均和國(guó)際一流產(chǎn)品一致。通用的并行接口，MID/DID以及parameter頁(yè)等設(shè)置也符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，支持LEGACY/ONFI 1.0 COMMAND SET指令集，具備更好的兼容性。

高性能的數(shù)據(jù)訪問(wèn)，通過(guò)內(nèi)部buffer可以提供數(shù)據(jù)吞吐量，一頁(yè)從存儲(chǔ)陣列到數(shù)據(jù)寄存器小于25微秒。1.8V連續(xù)讀寫(xiě)的時(shí)鐘周期為30納秒，而3.3V僅需20納秒。典型的頁(yè)寫(xiě)入時(shí)間達(dá)到200微秒。

東芯的24nm NAND不用借助外部緩沖就可以實(shí)現(xiàn)快速的頁(yè)拷貝;獨(dú)立的/WP引腳可以實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)擦/寫(xiě)的硬件保護(hù)。

Functional block diagram如下圖所示，以8Gb為例：

由此可見(jiàn)，標(biāo)準(zhǔn)并行通訊接口與CPU交互，并通過(guò)內(nèi)部命令控制邏輯傳達(dá)指令到內(nèi)部，數(shù)據(jù)讀取時(shí)Data register首先緩存，再通過(guò)IO送出。

同時(shí)，東芯使用獨(dú)立的LDO模塊分別給核心模塊與電壓泵模塊供電，在確保供電穩(wěn)定的前提下節(jié)省靜待功耗。使用步進(jìn)式+多次式方法進(jìn)行編寫(xiě)/擦除操作，也對(duì)單元閾值電壓精準(zhǔn)控制。

(素材：chinaaet.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除）