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如何提高存儲(chǔ)密度和數(shù)據(jù)傳輸速度

發(fā)布時(shí)間:2020/9/17 21:57:44 訪問次數(shù):1150

臺(tái)積電(TSMC)在制造了NVIDIA的Tesla P100加速器。AMD在硅中介板上結(jié)合了大型GPU和4GB的高帶寬內(nèi)存(HBM)來(lái)創(chuàng)建Radeon R9 FuryX,增加了固有的復(fù)雜性,降低了產(chǎn)量并增加了成本。

小型硅橋還比中介層便宜很多。Tesla P100和Radeon R9 Fury X是高價(jià)旗艦產(chǎn)品,而英特爾首款帶有嵌入式橋的產(chǎn)品之一是Kaby Lake G,這是一個(gè)結(jié)合了第八代Core CPU和AMD Radeon RX Vega M圖形的移動(dòng)平臺(tái);贙aby Lake G的筆記本電腦無(wú)論如何都不算便宜。EMIB能夠?qū)愵愋酒傻揭粋(gè)封裝中,從而鞏固了寶貴的電路板空間,增強(qiáng)了性能并與分立組件相比降低了成本。

特征

工作電壓 (+2-+4.5V)

消耗電流 (V+=3V時(shí),一般為2.0mA)

低待機(jī)電流 (一般為0.1μA)

大輸出功率 (V+=3V,RL=8Ω時(shí),一般為250mW,:V+=4.5V,RL=16Ω時(shí),一般為400mW)

語(yǔ)音頻段的增益范圍 (Gv=0-43dB)

負(fù)載阻抗 (RL=4-200Ω)

過熱停機(jī)保護(hù)功能

封裝 (MSOP8(VSP8)*MEET JEDEC MO-187-DA,

MSOP8(TVSP8)*MEET JEDEC MO-187-DA / THIN TYPE)

雙極技術(shù)

ZL系列光存儲(chǔ)系統(tǒng),紫晶存儲(chǔ)重點(diǎn)展出型號(hào)為ZL2520、ZL6120的兩款產(chǎn)品。ZL系列光存儲(chǔ)產(chǎn)品是紫晶開發(fā)的第二代光存儲(chǔ)產(chǎn)品,較上一代產(chǎn)品相比大幅度提高了存儲(chǔ)密度和數(shù)據(jù)傳輸速度。系統(tǒng)采用轉(zhuǎn)籠設(shè)計(jì),ZL6120單臺(tái)可達(dá)到6120碟的超大容量,該系列另一款型號(hào)產(chǎn)品ZL12240,單臺(tái)可實(shí)現(xiàn)12240碟光盤裝載量,處于業(yè)界領(lǐng)先水平。產(chǎn)品可應(yīng)用于金融行業(yè)、醫(yī)療行業(yè)、數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)長(zhǎng)期存儲(chǔ),政府災(zāi)備等多個(gè)領(lǐng)域。

產(chǎn)品采用RRC、 ECC 等多重校驗(yàn)機(jī)制,保證數(shù)據(jù)不丟失; 采用標(biāo)準(zhǔn)的UDF編碼格式,在系統(tǒng)層保證每張光盤的數(shù)據(jù)獨(dú)立有效,只要光盤介質(zhì)沒有被損壞,數(shù)據(jù)依然可以被恢復(fù)。

支持主流操作系統(tǒng),提供標(biāo)準(zhǔn)Restful 接口,支持標(biāo)準(zhǔn)NFS/CIFS協(xié)議,無(wú)縫集成,能和多種業(yè)界方案集成,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)分層存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)歸檔、數(shù)據(jù)備份、數(shù)據(jù)容災(zāi)。


(素材:chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除)

臺(tái)積電(TSMC)在制造了NVIDIA的Tesla P100加速器。AMD在硅中介板上結(jié)合了大型GPU和4GB的高帶寬內(nèi)存(HBM)來(lái)創(chuàng)建Radeon R9 FuryX,增加了固有的復(fù)雜性,降低了產(chǎn)量并增加了成本。

小型硅橋還比中介層便宜很多。Tesla P100和Radeon R9 Fury X是高價(jià)旗艦產(chǎn)品,而英特爾首款帶有嵌入式橋的產(chǎn)品之一是Kaby Lake G,這是一個(gè)結(jié)合了第八代Core CPU和AMD Radeon RX Vega M圖形的移動(dòng)平臺(tái);贙aby Lake G的筆記本電腦無(wú)論如何都不算便宜。EMIB能夠?qū)愵愋酒傻揭粋(gè)封裝中,從而鞏固了寶貴的電路板空間,增強(qiáng)了性能并與分立組件相比降低了成本。

特征

工作電壓 (+2-+4.5V)

消耗電流 (V+=3V時(shí),一般為2.0mA)

低待機(jī)電流 (一般為0.1μA)

大輸出功率 (V+=3V,RL=8Ω時(shí),一般為250mW,:V+=4.5V,RL=16Ω時(shí),一般為400mW)

語(yǔ)音頻段的增益范圍 (Gv=0-43dB)

負(fù)載阻抗 (RL=4-200Ω)

過熱停機(jī)保護(hù)功能

封裝 (MSOP8(VSP8)*MEET JEDEC MO-187-DA,

MSOP8(TVSP8)*MEET JEDEC MO-187-DA / THIN TYPE)

雙極技術(shù)

ZL系列光存儲(chǔ)系統(tǒng),紫晶存儲(chǔ)重點(diǎn)展出型號(hào)為ZL2520、ZL6120的兩款產(chǎn)品。ZL系列光存儲(chǔ)產(chǎn)品是紫晶開發(fā)的第二代光存儲(chǔ)產(chǎn)品,較上一代產(chǎn)品相比大幅度提高了存儲(chǔ)密度和數(shù)據(jù)傳輸速度。系統(tǒng)采用轉(zhuǎn)籠設(shè)計(jì),ZL6120單臺(tái)可達(dá)到6120碟的超大容量,該系列另一款型號(hào)產(chǎn)品ZL12240,單臺(tái)可實(shí)現(xiàn)12240碟光盤裝載量,處于業(yè)界領(lǐng)先水平。產(chǎn)品可應(yīng)用于金融行業(yè)、醫(yī)療行業(yè)、數(shù)據(jù)中心數(shù)據(jù)長(zhǎng)期存儲(chǔ),政府災(zāi)備等多個(gè)領(lǐng)域。

產(chǎn)品采用RRC、 ECC 等多重校驗(yàn)機(jī)制,保證數(shù)據(jù)不丟失; 采用標(biāo)準(zhǔn)的UDF編碼格式,在系統(tǒng)層保證每張光盤的數(shù)據(jù)獨(dú)立有效,只要光盤介質(zhì)沒有被損壞,數(shù)據(jù)依然可以被恢復(fù)。

支持主流操作系統(tǒng),提供標(biāo)準(zhǔn)Restful 接口,支持標(biāo)準(zhǔn)NFS/CIFS協(xié)議,無(wú)縫集成,能和多種業(yè)界方案集成,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)分層存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)歸檔、數(shù)據(jù)備份、數(shù)據(jù)容災(zāi)。


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