基站主控芯片采用F RE E SC A L E 公司生產(chǎn)的MC9S08DZ60，它可以通過(guò)SPI 串行總線對(duì)射頻接收芯片MC33596 參數(shù)進(jìn)行配置與通信。MC9S08DZ60 內(nèi)部集成了2 個(gè)SCI(LIN)模塊，可通過(guò)一路LIN 總線實(shí)現(xiàn)對(duì)低頻收發(fā)芯片PJF7992 的控制，另一路LIN總線實(shí)現(xiàn)對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)電控單元(ECU)與門(mén)控相關(guān)執(zhí)行機(jī)構(gòu)傳送命令。在汽車(chē)安全防盜系統(tǒng)中加入LIN總線接。

多輸入動(dòng)態(tài)mux復(fù)雜時(shí)鐘、IP模塊多內(nèi)部輸出時(shí)鐘等復(fù)雜的時(shí)鐘結(jié)構(gòu)，采用分析時(shí)鐘框圖及基于Innovus工具從網(wǎng)表中提取時(shí)鐘結(jié)構(gòu)的分析方式進(jìn)行時(shí)鐘結(jié)構(gòu)上的詳細(xì)梳理，提出針對(duì)時(shí)鐘結(jié)構(gòu)分析及clock spec的優(yōu)化方法。

在一個(gè)超大規(guī)模的16 nm top design上基于優(yōu)化后的clock spec進(jìn)行CTS，并結(jié)合multi-tap的clock tree做法，從得到的結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)在run time、clock latency等方面都有較大的提升，能夠滿足項(xiàng)目要求的時(shí)鐘長(zhǎng)度等要求，有效避免block接口的時(shí)序沖突。

高精度頻率穩(wěn)定技術(shù)需要價(jià)格昂貴，體積較大的高穩(wěn)腔、吸收池等作為頻率參考，并通過(guò)復(fù)雜的電學(xué)/光學(xué)反饋技術(shù)，限制了其在光纖傳感、激光雷達(dá)等工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用。低成本、高魯棒性的光纖激光器噪聲抑制技術(shù)研究，具有重要的意義。

對(duì)光纖激光器諧振腔等效熱膨脹系數(shù)的控制，實(shí)現(xiàn)腔內(nèi)熱光效應(yīng)的精細(xì)調(diào)控，在激光腔內(nèi)部構(gòu)建激光器頻率的自反饋機(jī)制。通過(guò)理論推導(dǎo)和實(shí)驗(yàn)研究，實(shí)現(xiàn)20dB的光纖激光器低頻頻率噪聲抑制和熱噪聲極限的光纖激光輸出。

研究對(duì)自反饋機(jī)制下的光纖激光器強(qiáng)度噪聲、環(huán)境魯棒性等性能進(jìn)行全面的研究測(cè)試，證實(shí)了該技術(shù)的先進(jìn)性。該研究有望有效推動(dòng)單頻光纖激光器在激光雷達(dá)、光纖傳感等相關(guān)工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用。

從500納米（nm）、350納米、250納米、180納米、150納米、130納米、90納米、65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、10納米、7納米，一直發(fā)展到現(xiàn)在的5納米，未來(lái)還有3納米、2納米制程出現(xiàn)。

集成電路的制程工藝乘以0.714即可得出下一代集成電路的制程工藝，如350納米*0.714=249.9納米≈250納米，再比如7納米*0.714=4.998納米≈5納米。這就是著名的登納德縮放比例定律（Dennard scaling），該定律源于1974年Robert H. Dennard參與完成的一篇論文，定律表明，晶體管的尺寸在每一代技術(shù)中都縮小了30%（0.7倍），因此它們的面積減少了50%。這意味著電路減少了30% （0.7倍）的延遲，因此增加了約40%（1.4倍）的工作頻率。最后，為了保持電場(chǎng)恒定，電壓降低了30%，能量降低了65%，功率降低了50%。因此，在每一代技術(shù)中，晶體管密度增加一倍，電路速度提高40%，功耗保持不變。

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