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AIB技術(shù)的響應(yīng)速度和帶寬密度

發(fā)布時(shí)間:2020/9/20 0:40:22 訪問次數(shù):5343

全新全方位互連(Omni-Directional Interconnec,ODI)技術(shù)為多芯片封裝中的小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。ODI通過垂直大通孔(large vias)從封裝基板向上方芯片直接供電,上方芯片可以與其他小芯片(chiplet)進(jìn)行類似于EMIB中的水平通信,上方芯片還可以通過硅通孔(TSV)實(shí)現(xiàn)和下方裸片進(jìn)行類似Foveros中的垂直通信。同時(shí),ODI減少了下方裸片中所需的硅通孔數(shù)量,實(shí)現(xiàn)了更小的TSV裸片面積,做到封裝成品上下面積尺寸一致。

應(yīng)對(duì)新型封裝技術(shù),英特爾不僅在互連方面推出了ODI,也同步推出了新型多模接口技術(shù)(Management Data Input/Output,MDIO)。

英特爾新型接口技術(shù)方面進(jìn)行快速疊代研發(fā),2014年推出了AIB,2017年成功應(yīng)用于DAPRA芯中中,針腳速度會(huì)達(dá)到2.0Gbps,Shoreline帶寬密度每平方毫米可以達(dá)到63Gbps,Areal帶寬密度每平方毫米可達(dá)150 GBps,物理層的能耗效率是0.85pJ/b。

MDIO是基于其高級(jí)接口總線(AIB)物理層互連技術(shù),可以支持對(duì)小芯片IP模塊庫(kù)的模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì),能夠提供更高能效,實(shí)現(xiàn)AIB技術(shù)兩倍以上的響應(yīng)速度和帶寬密度。針腳速度會(huì)達(dá)到5.4Gbps,Shoreline帶寬密度每平方毫米可以達(dá)到200Gbps,Areal帶寬密度每平方毫米可達(dá)198 GBps,物理層的能耗效率是0.5pJ/b。

第一代CoWoS采用65納米工藝,線寬可以達(dá)到0.25?m,實(shí)現(xiàn)4層布線,為FPGA、GPU等高性能產(chǎn)品的集成提供解決方案。賽靈思(Xilinx)型號(hào)為“Virtex-7 2000T FPGA”的產(chǎn)品是最具代表性的CoWoS產(chǎn)品之一。

基于2.5D轉(zhuǎn)接板技術(shù)的Virtex-7 2000T FPGA產(chǎn)品將四個(gè)不同的28納米工藝的FPGA芯片,實(shí)現(xiàn)了在無源硅中介層上并排互聯(lián),同時(shí)結(jié)合微凸點(diǎn)工藝以及TSV技術(shù),構(gòu)建了比其他同類型組件容量多出兩倍且相當(dāng)于容量達(dá)2000萬(wàn)門ASIC的可編程邏輯器件,實(shí)現(xiàn)了單顆28納米FPGA邏輯容量,超越了摩爾定律限制。賽靈思借助臺(tái)積電(TSMC)的2.5D-TSV轉(zhuǎn)接板技術(shù)。

CoWoS技術(shù)目前已經(jīng)擴(kuò)展至7納米,能夠在尺寸達(dá)二倍光罩大小的硅基板(Silicon Interposer)上異質(zhì)整合多顆7納米系統(tǒng)單晶片與第二代高頻寬存儲(chǔ)器(High Bandwidth Memory 2,HBM2)。

臺(tái)積電InFO技術(shù),通過將芯片埋入模塑料,以銅柱實(shí)現(xiàn)三維封裝互連。InFO技術(shù)為蘋果A10、A11、A12處理器和存儲(chǔ)器的PoP封裝提供了新的封裝方案,拓展了WL-FO的應(yīng)用,讓Fan-Out技術(shù)成為行業(yè)熱點(diǎn)。

A11處理器尺寸10mm×8.7mm, 比A10處理器小30%以上,塑封后表面3層布線,線寬8?m,密度并不高,主要原因還是重構(gòu)模塑料圓片表面布線良率和可靠性問題。A11處理器InFO PoP的封裝尺寸13.9×14.8mm,與A10相比小8%,厚度790m。

臺(tái)積電InFO技術(shù)的成功得益于強(qiáng)大的研發(fā)能力和商業(yè)合作模式。推出InFO技術(shù),是為了提供AP制造和封裝整體解決方案,即使在最初良率很低的情況下,臺(tái)積電也能持續(xù)進(jìn)行良率提升,這對(duì)封測(cè)廠來說是不可能的。


InFO技術(shù)的巨大成功推動(dòng)制造業(yè)、封測(cè)業(yè)以及基板企業(yè)投入了大量人力物力開展三維扇出技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)。業(yè)界也發(fā)現(xiàn),很多原本需要2.5D TSV轉(zhuǎn)接板封裝可以通過三維扇出來完成,解決了TSV轉(zhuǎn)接板成本太高,工藝太復(fù)雜的問題。

(素材:chinaaet.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除)

全新全方位互連(Omni-Directional Interconnec,ODI)技術(shù)為多芯片封裝中的小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。ODI通過垂直大通孔(large vias)從封裝基板向上方芯片直接供電,上方芯片可以與其他小芯片(chiplet)進(jìn)行類似于EMIB中的水平通信,上方芯片還可以通過硅通孔(TSV)實(shí)現(xiàn)和下方裸片進(jìn)行類似Foveros中的垂直通信。同時(shí),ODI減少了下方裸片中所需的硅通孔數(shù)量,實(shí)現(xiàn)了更小的TSV裸片面積,做到封裝成品上下面積尺寸一致。

應(yīng)對(duì)新型封裝技術(shù),英特爾不僅在互連方面推出了ODI,也同步推出了新型多模接口技術(shù)(Management Data Input/Output,MDIO)。

英特爾新型接口技術(shù)方面進(jìn)行快速疊代研發(fā),2014年推出了AIB,2017年成功應(yīng)用于DAPRA芯中中,針腳速度會(huì)達(dá)到2.0Gbps,Shoreline帶寬密度每平方毫米可以達(dá)到63Gbps,Areal帶寬密度每平方毫米可達(dá)150 GBps,物理層的能耗效率是0.85pJ/b。

MDIO是基于其高級(jí)接口總線(AIB)物理層互連技術(shù),可以支持對(duì)小芯片IP模塊庫(kù)的模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì),能夠提供更高能效,實(shí)現(xiàn)AIB技術(shù)兩倍以上的響應(yīng)速度和帶寬密度。針腳速度會(huì)達(dá)到5.4Gbps,Shoreline帶寬密度每平方毫米可以達(dá)到200Gbps,Areal帶寬密度每平方毫米可達(dá)198 GBps,物理層的能耗效率是0.5pJ/b。

第一代CoWoS采用65納米工藝,線寬可以達(dá)到0.25?m,實(shí)現(xiàn)4層布線,為FPGA、GPU等高性能產(chǎn)品的集成提供解決方案。賽靈思(Xilinx)型號(hào)為“Virtex-7 2000T FPGA”的產(chǎn)品是最具代表性的CoWoS產(chǎn)品之一。

基于2.5D轉(zhuǎn)接板技術(shù)的Virtex-7 2000T FPGA產(chǎn)品將四個(gè)不同的28納米工藝的FPGA芯片,實(shí)現(xiàn)了在無源硅中介層上并排互聯(lián),同時(shí)結(jié)合微凸點(diǎn)工藝以及TSV技術(shù),構(gòu)建了比其他同類型組件容量多出兩倍且相當(dāng)于容量達(dá)2000萬(wàn)門ASIC的可編程邏輯器件,實(shí)現(xiàn)了單顆28納米FPGA邏輯容量,超越了摩爾定律限制。賽靈思借助臺(tái)積電(TSMC)的2.5D-TSV轉(zhuǎn)接板技術(shù)

CoWoS技術(shù)目前已經(jīng)擴(kuò)展至7納米,能夠在尺寸達(dá)二倍光罩大小的硅基板(Silicon Interposer)上異質(zhì)整合多顆7納米系統(tǒng)單晶片與第二代高頻寬存儲(chǔ)器(High Bandwidth Memory 2,HBM2)。

臺(tái)積電InFO技術(shù),通過將芯片埋入模塑料,以銅柱實(shí)現(xiàn)三維封裝互連。InFO技術(shù)為蘋果A10、A11、A12處理器和存儲(chǔ)器的PoP封裝提供了新的封裝方案,拓展了WL-FO的應(yīng)用,讓Fan-Out技術(shù)成為行業(yè)熱點(diǎn)。

A11處理器尺寸10mm×8.7mm, 比A10處理器小30%以上,塑封后表面3層布線,線寬8?m,密度并不高,主要原因還是重構(gòu)模塑料圓片表面布線良率和可靠性問題。A11處理器InFO PoP的封裝尺寸13.9×14.8mm,與A10相比小8%,厚度790m。

臺(tái)積電InFO技術(shù)的成功得益于強(qiáng)大的研發(fā)能力和商業(yè)合作模式。推出InFO技術(shù),是為了提供AP制造和封裝整體解決方案,即使在最初良率很低的情況下,臺(tái)積電也能持續(xù)進(jìn)行良率提升,這對(duì)封測(cè)廠來說是不可能的。


InFO技術(shù)的巨大成功推動(dòng)制造業(yè)、封測(cè)業(yè)以及基板企業(yè)投入了大量人力物力開展三維扇出技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)。業(yè)界也發(fā)現(xiàn),很多原本需要2.5D TSV轉(zhuǎn)接板封裝可以通過三維扇出來完成,解決了TSV轉(zhuǎn)接板成本太高,工藝太復(fù)雜的問題。

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