mos管開關(guān)電路兩種MOS管的典型應(yīng)用
發(fā)布時間:2020/10/25 11:11:56 訪問次數(shù):1697
電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當(dāng)D較小時,負向電壓小,該電路的抗干擾性變差,且正向電壓較高,應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。
當(dāng)D大于0.5時驅(qū)動電壓正向電壓小于其負向電壓,此時應(yīng)該注意使其負電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。
mos管開關(guān)電路集成芯片UC3724/3725構(gòu)成的驅(qū)動電路電路。其中UC3724用來產(chǎn)生高頻載波信號,載波頻率由電容CT和電阻RT決定。
一般載波頻率小于600kHz,4腳和6腳兩端產(chǎn)生高頻調(diào)制波,經(jīng)高頻小磁環(huán)變壓器隔離后送到UC3725芯片7、8兩腳經(jīng)UC3725進行調(diào)制后得到驅(qū)動信號,UC3725內(nèi)部有一肖特基整流橋同時將7、8腳的高頻調(diào)制波整流成一直流電壓供驅(qū)動所需功率。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細信息商標(biāo):Infineon Technologies配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:1.7 V在25 C的連續(xù)集電極電流:300 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:IS5a ( 62 mm )-7封裝:Tray柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:1450 W工廠包裝數(shù)量:10
載波頻率越高驅(qū)動延時越小,但太高抗干擾變差;隔離變壓器磁化電感越大磁化電流越小,UC3724發(fā)熱越少,但太大使匝數(shù)增多導(dǎo)致寄生參數(shù)影響變大,同樣會使抗干擾能力降低。
mos管開關(guān)電路兩種MOS管的典型應(yīng)用:其中第一種NMOS管為高電平導(dǎo)通,低電平截斷,Drain端接后面電路的接地端;第二種為PMOS管典型開關(guān)電路,為高電平斷開,低電平導(dǎo)通,Drain端接后面電路的VCC端。
為了滿足高端MOS管的驅(qū)動,經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動,有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。
mos管開關(guān)電路由PMOS來進行電壓的選擇,當(dāng)V8V存在時,此時電壓全部由V8V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當(dāng)V8V為低時,VSIN由8V供電。
電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當(dāng)D較小時,負向電壓小,該電路的抗干擾性變差,且正向電壓較高,應(yīng)該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。
當(dāng)D大于0.5時驅(qū)動電壓正向電壓小于其負向電壓,此時應(yīng)該注意使其負電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。
mos管開關(guān)電路集成芯片UC3724/3725構(gòu)成的驅(qū)動電路電路。其中UC3724用來產(chǎn)生高頻載波信號,載波頻率由電容CT和電阻RT決定。
一般載波頻率小于600kHz,4腳和6腳兩端產(chǎn)生高頻調(diào)制波,經(jīng)高頻小磁環(huán)變壓器隔離后送到UC3725芯片7、8兩腳經(jīng)UC3725進行調(diào)制后得到驅(qū)動信號,UC3725內(nèi)部有一肖特基整流橋同時將7、8腳的高頻調(diào)制波整流成一直流電壓供驅(qū)動所需功率。
制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細信息商標(biāo):Infineon Technologies配置:Dual集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:1.7 V在25 C的連續(xù)集電極電流:300 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:IS5a ( 62 mm )-7封裝:Tray柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:1450 W工廠包裝數(shù)量:10
載波頻率越高驅(qū)動延時越小,但太高抗干擾變差;隔離變壓器磁化電感越大磁化電流越小,UC3724發(fā)熱越少,但太大使匝數(shù)增多導(dǎo)致寄生參數(shù)影響變大,同樣會使抗干擾能力降低。
mos管開關(guān)電路兩種MOS管的典型應(yīng)用:其中第一種NMOS管為高電平導(dǎo)通,低電平截斷,Drain端接后面電路的接地端;第二種為PMOS管典型開關(guān)電路,為高電平斷開,低電平導(dǎo)通,Drain端接后面電路的VCC端。
為了滿足高端MOS管的驅(qū)動,經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動,有時為了滿足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩,C1的目的是隔開直流,通過交流,同時也能防止磁芯飽和。
mos管開關(guān)電路由PMOS來進行電壓的選擇,當(dāng)V8V存在時,此時電壓全部由V8V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當(dāng)V8V為低時,VSIN由8V供電。
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