單片式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器電流隨開(kāi)關(guān)切換

發(fā)布時(shí)間:2020/10/25 22:55:21 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):665

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu)，也可以通過(guò)控制器構(gòu)建。在單片式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器中，各功率開(kāi)關(guān)（一般是MOSFET）會(huì)集成在單個(gè)硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時(shí)，除了控制器IC，還必須單獨(dú)選擇半導(dǎo)體和確定其位置。選擇MOSFET非常耗費(fèi)時(shí)間，且需要對(duì)開(kāi)關(guān)的參數(shù)有一定了解。使用單片式設(shè)計(jì)時(shí)，設(shè)計(jì)人員無(wú)需處理這些問(wèn)題。

相比高度集成的解決方案，控制器解決方案通常會(huì)占用更多的電路板空間。所以，毫不意外多年來(lái)人們?cè)絹?lái)越多地采用單片式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，如今，即使對(duì)于更高功率，ADI公司也有大量的解決方案可供選擇。左側(cè)是單片式降壓轉(zhuǎn)換器，右側(cè)是控制器解決方案。

單片式解決方案需要的空間較少，也簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程，但另一方面，控制器解決方案的優(yōu)勢(shì)是更加靈活。

系列產(chǎn)品:TPD1E05U06DPYR C02-集成電路（IC） TI

LM317DCYR C02-集成電路（IC） TI

B32776G5456K000 C23-電容器 EPCOS

NRVA4007T3G C06-二極管 ON SEMICONDUCTOR

GRM155R71C104KA88D C23-電容器 MURATA

1743355-2 C40-附件 TE

L5150BNTR C02-集成電路（IC） STMICROELECTRONICS

STF22NM60N C02-集成電路（IC） STMICROELECTRONICS

BTA26-600BRG C01-電子元件 STMICROELECTRONICS

154717-3 C32-端子 TE

REF3312AIDBZR C02-集成電路（IC） TI

LM319MX/NOPB C02-集成電路（IC） TI

794772-2 C40-附件 TE

TJA1021T/20/CM C02-集成電路（IC） NXP

1717888-1 C33-外殼 TE

電流路徑，其中的電流隨開(kāi)關(guān)切換的速度而變化。通過(guò)快速的電流變化，因寄生電感形成電壓偏移，可以作為干擾耦合到不同的電路部分。

熱回路中的寄生電感必須保持盡可能低。用紅色標(biāo)出各熱回路路徑，左側(cè)為單片式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，右側(cè)為控制器解決方案。

單片式解決方案具有兩大優(yōu)勢(shì)。

其熱回路比控制器解決方案的熱回路小。

高壓側(cè)開(kāi)關(guān)和低壓側(cè)開(kāi)關(guān)之間的連接路徑非常短，且只在硅芯片上完成走線(xiàn)。兩者相比，對(duì)于帶控制器IC的解決方案，連接的電流路徑必須通過(guò)封裝的寄生電感布線(xiàn)，通常采用的鍵合線(xiàn)和引線(xiàn)框架具有寄生電感。這會(huì)導(dǎo)致更高的電壓偏置，以及更差的EMC性能。