漏極在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很薄)，形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩P區(qū)連起來，就構(gòu)成了一個(gè)場效應(yīng)管。

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10-8～10-9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者

在兩個(gè)高摻雜的P區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很薄)，形成了兩個(gè)PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個(gè)歐姆接觸電極，在兩個(gè)P區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩P區(qū)連起來，就構(gòu)成了一個(gè)場效應(yīng)管。

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汽車電氣化浪潮正席卷全球，電動(dòng)汽車搭載的電機(jī)、車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等高壓汽車系統(tǒng)都需要碳化硅(SiC)等創(chuàng)新電源技術(shù)。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出最新通過認(rèn)證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)功率器件，為電動(dòng)汽車(EV)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認(rèn)證，對于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)人員來說，可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定和持久的應(yīng)用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設(shè)計(jì)人員可以減少對外部保護(hù)電路的需求，降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

Microchip 碳化硅(SiC)解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領(lǐng)先水平。其耐用性測試表明，Microchip 的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)在非箝位電感開關(guān)(UIS)中的能量承受能力提升20%，在高溫下電流泄漏水平最低，從而可以延長系統(tǒng)壽命，實(shí)現(xiàn)更可靠的運(yùn)行。

Microchip 的 SiC 汽車功率器件進(jìn)一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產(chǎn)品組合，為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車和充電站的整體系統(tǒng)解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅(SiC)裸片，提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)功率模塊的廣泛產(chǎn)品組合。

Microchip推出的dsPIC®數(shù)字信號(hào)控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設(shè)。Microchip的AgileSwitch®系列數(shù)字可編程門驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步加快了從設(shè)計(jì)階段到生產(chǎn)的進(jìn)程。

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