WRC-19為利用地面和空間通信技術(shù)連接世界的新的、更具創(chuàng)新性的方式鋪平了道路。隨著領(lǐng)先寬帶技術(shù)在新工業(yè)發(fā)展中得到體現(xiàn)，最偏遠(yuǎn)地區(qū)的人們也將獲得更好、更實惠的接入。

在WRC-19上達(dá)成的來之不易的協(xié)議將對全世界數(shù)十億人的生活產(chǎn)生積極影響，為可持續(xù)增長和發(fā)展創(chuàng)造有利的數(shù)字環(huán)境。WRC-19在支持新通信技術(shù)和保護(hù)現(xiàn)有業(yè)務(wù)方面取得的成就將反映在萬億美元電信和ICT行業(yè)的持續(xù)增長之中。

尺寸更小、成本更低的系統(tǒng)解決方案,SmartBond TINY既可以作為一個獨立的芯片系統(tǒng)來使用，也可以作為模塊嵌入到更大的微控制器單元中。DA14531現(xiàn)在已經(jīng)批量供貨，SmartBond TINY模塊也將在明年第二季度推出，它結(jié)合了主芯片的各項功能，能夠?qū)⒊杀舅{(lán)牙連接的成本降低至1美元以下。SmartBond TINY模塊面向用量不大的客戶，有助于他們在產(chǎn)品開發(fā)中更容易地應(yīng)用這一新的SoC，無需再去驗證其平臺，從而節(jié)省了產(chǎn)品開發(fā)的時間、工作量和成本。

它的具體優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：

通過高散熱結(jié)構(gòu)，大幅改善PCB板的散熱性，并保證額定功率4W

可靠性對于電阻器來說重要的一點就是散熱設(shè)計，因為隨著PCB上功能進(jìn)一步集成化，元器件的散熱環(huán)境越來越惡化。GMR50電阻器是在GMR100的基礎(chǔ)上進(jìn)行開發(fā)的，貼裝面積減小39%，小型化之后需要解決散熱的問題，羅姆工程師對GMR50電阻器內(nèi)部的結(jié)構(gòu)分布做了很好的調(diào)整，通過改進(jìn)了電極結(jié)構(gòu)以及優(yōu)化元件內(nèi)部設(shè)計，大幅提到散熱性；對電極某一部分材料做一些變更，從而在施加比較大應(yīng)力的時候使電極的粘合性更好，所以能夠保證一個小尺寸的情況下也能達(dá)到額定功率4W。

羅姆所支持的散熱設(shè)計不僅是針對單顆的電阻器，是可以針對整個PCB板進(jìn)行整體的熱仿真，來提供一些相應(yīng)的散熱對策。以FlothermTM專門的熱仿真軟件做的一個GMR50電阻和羅姆以往產(chǎn)品的溫升對比。在同樣施加2W的功率前提下，表面溫升降低了57%；在貼裝面積減小39%的尺寸下施加功率達(dá)到4W的時候它的表面溫度比普通產(chǎn)品還要再低20度，它的可靠性得到進(jìn)一步提升。

STT-MRAM存儲單元的核心是一個MTJ，也就是STT-MRAM是通過MTJ來存儲數(shù)據(jù)。通常情況下，MTJ是由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成，它是是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的。寫入信息時需要較大的電流產(chǎn)生磁場使?MTJ?自由層磁矩發(fā)生反轉(zhuǎn)。隨著存儲單元的尺寸減小，需要更大的自由層磁矩反轉(zhuǎn)磁場，因此也需要更大的電流。大電流不僅增加了功耗，也使得變換速度減慢，限制了存儲單元寫入信息的速度。

STT-MRAM的發(fā)展腳步毫無減緩的跡象，并瞄準(zhǔn)兩大應(yīng)用領(lǐng)域，分別是嵌入式存儲器和獨立存儲器。目前有些廠商專注于發(fā)展嵌入式MRAM。舉個例子來說明其重要性，通常微控制器（MCU）會在同一芯片上整合多種元件，例如運算單元、SRAM和嵌入式快閃存儲器。而這種嵌入式快閃存儲器具備NOR的非揮發(fā)特性，這種NOR快閃存儲器通常都用來作為程式代碼的儲存用途。

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