GL750電源均衡負(fù)載Cortex-M7 MCU上運(yùn)行微處理器
發(fā)布時(shí)間:2020/11/11 22:35:47 訪問次數(shù):762
對(duì)STM32H725的全面的即用支持也是TouchGFX 4.15.0的新特性,使開發(fā)人員可以在意法半導(dǎo)體的Cortex-M7 MCU上運(yùn)行微處理器級(jí)的圖形。STM32H725是STM32系列最新的圖形應(yīng)用旗艦產(chǎn)品,搭載550MHz處理器內(nèi)核,采用意法半導(dǎo)體的Chrom-ART Accelerator™圖形加速技術(shù),可以提供更快的圖形處理性能;8針SPI接口用于高速連接外部閃存和RAM,以及XGA TFT-LCD顯示控制器。
所有軟件組件現(xiàn)在都可以下載使用,包括X-cube-display軟件包和TouchGFX 4.15.0,以及在G071RB開發(fā)板上運(yùn)行的代碼示例。
GL750電源采用標(biāo)準(zhǔn)的ATX尺寸,140×150×86毫米機(jī)身緊湊,玩家不用擔(dān)心機(jī)箱兼容性的問題,輸入端的獨(dú)立開關(guān)方便玩家關(guān)斷電源省去插拔線材的不便。
影馳電競(jìng)大師GL750電源均衡負(fù)載具體測(cè)評(píng)如下:
額定功率在600W或以上的ATX電源進(jìn)行超載測(cè)試,測(cè)試項(xiàng)目為120%幅度的230V輸入均衡負(fù)載測(cè)試以及紋波測(cè)試。該項(xiàng)測(cè)試的測(cè)試不納入超能指數(shù)的計(jì)算中,單純是用來觀察電源的潛力,主要用來體現(xiàn)中高端電源的優(yōu)勢(shì)所在。
影馳電競(jìng)大師GL750電源在超載20%至900W的時(shí)候,其各路輸出電壓相比100%負(fù)載時(shí)并沒有明顯的變化,轉(zhuǎn)換效率雖然有所下跌但仍然處于正常的電氣性能變化范圍內(nèi),只是在超載20%的情況下電源內(nèi)部會(huì)有輕微的嘯叫聲,一般情況下表明輸出功率已經(jīng)接近于設(shè)計(jì)上限,不適合再往上提升了。
磁性近程傳感器可以在感應(yīng)式傳感器等產(chǎn)品的一般范圍之外進(jìn)行非接觸式物體檢測(cè)。雖然封裝尺寸較小, 但具有遠(yuǎn)距離傳感范圍, 并且可通過線束安裝在不同地點(diǎn)。加固MPSR系列磁性近程傳感器采用加固鋁外殼, 可以為元件提供最大限度的保護(hù), 而且?guī)缀踉谌魏苇h(huán)境條件下都能實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控。
附帶的磁鐵由近程向傳感器移動(dòng)時(shí), MPSR系列傳感器上的常開觸點(diǎn)是斷開的, 而磁鐵處于作動(dòng)范圍內(nèi)時(shí), 這些觸點(diǎn)處于閉合狀態(tài)。相反, 磁鐵由近程向傳感器移動(dòng)時(shí), 常閉觸點(diǎn)是閉合的, 而磁鐵處于作動(dòng)范圍內(nèi)時(shí), 這些觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。30V 3W 的額定值意味著這款傳感器可以根據(jù)應(yīng)用要求用于信號(hào)電平或負(fù)載切換。
工作溫度范圍為-40°F到176°F(-40°C到80°C), 可以在惡劣的熱環(huán)境中使用。傳感器通過了UL61058認(rèn)可。
對(duì)STM32H725的全面的即用支持也是TouchGFX 4.15.0的新特性,使開發(fā)人員可以在意法半導(dǎo)體的Cortex-M7 MCU上運(yùn)行微處理器級(jí)的圖形。STM32H725是STM32系列最新的圖形應(yīng)用旗艦產(chǎn)品,搭載550MHz處理器內(nèi)核,采用意法半導(dǎo)體的Chrom-ART Accelerator™圖形加速技術(shù),可以提供更快的圖形處理性能;8針SPI接口用于高速連接外部閃存和RAM,以及XGA TFT-LCD顯示控制器。
所有軟件組件現(xiàn)在都可以下載使用,包括X-cube-display軟件包和TouchGFX 4.15.0,以及在G071RB開發(fā)板上運(yùn)行的代碼示例。
GL750電源采用標(biāo)準(zhǔn)的ATX尺寸,140×150×86毫米機(jī)身緊湊,玩家不用擔(dān)心機(jī)箱兼容性的問題,輸入端的獨(dú)立開關(guān)方便玩家關(guān)斷電源省去插拔線材的不便。
影馳電競(jìng)大師GL750電源均衡負(fù)載具體測(cè)評(píng)如下:
額定功率在600W或以上的ATX電源進(jìn)行超載測(cè)試,測(cè)試項(xiàng)目為120%幅度的230V輸入均衡負(fù)載測(cè)試以及紋波測(cè)試。該項(xiàng)測(cè)試的測(cè)試不納入超能指數(shù)的計(jì)算中,單純是用來觀察電源的潛力,主要用來體現(xiàn)中高端電源的優(yōu)勢(shì)所在。
影馳電競(jìng)大師GL750電源在超載20%至900W的時(shí)候,其各路輸出電壓相比100%負(fù)載時(shí)并沒有明顯的變化,轉(zhuǎn)換效率雖然有所下跌但仍然處于正常的電氣性能變化范圍內(nèi),只是在超載20%的情況下電源內(nèi)部會(huì)有輕微的嘯叫聲,一般情況下表明輸出功率已經(jīng)接近于設(shè)計(jì)上限,不適合再往上提升了。
磁性近程傳感器可以在感應(yīng)式傳感器等產(chǎn)品的一般范圍之外進(jìn)行非接觸式物體檢測(cè)。雖然封裝尺寸較小, 但具有遠(yuǎn)距離傳感范圍, 并且可通過線束安裝在不同地點(diǎn)。加固MPSR系列磁性近程傳感器采用加固鋁外殼, 可以為元件提供最大限度的保護(hù), 而且?guī)缀踉谌魏苇h(huán)境條件下都能實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控。
附帶的磁鐵由近程向傳感器移動(dòng)時(shí), MPSR系列傳感器上的常開觸點(diǎn)是斷開的, 而磁鐵處于作動(dòng)范圍內(nèi)時(shí), 這些觸點(diǎn)處于閉合狀態(tài)。相反, 磁鐵由近程向傳感器移動(dòng)時(shí), 常閉觸點(diǎn)是閉合的, 而磁鐵處于作動(dòng)范圍內(nèi)時(shí), 這些觸點(diǎn)處于斷開狀態(tài)。30V 3W 的額定值意味著這款傳感器可以根據(jù)應(yīng)用要求用于信號(hào)電平或負(fù)載切換。
工作溫度范圍為-40°F到176°F(-40°C到80°C), 可以在惡劣的熱環(huán)境中使用。傳感器通過了UL61058認(rèn)可。
熱門點(diǎn)擊
- 正、負(fù)極性全波整流電路及故障處理
- JESD204接口的CML中較低信號(hào)擺幅和差
- 磁控管輸出功率降低連接器觸點(diǎn)
- 采樣速率達(dá)到200 MSPS轉(zhuǎn)換器優(yōu)勢(shì)
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推薦技術(shù)資料
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