應(yīng)用領(lǐng)域包括離子注入、增材制造、電子束焊接、濺射、氣相沉積和等離子體源。

BQ系列的一個主要特點是所有模塊都是空氣絕緣的。使用空氣作為主要介電介質(zhì)可省油或密封，這意味著它重量輕，重量在40公斤以下，易于維護和維修，從而降低總體成本。

所有模塊都可以通過自動轉(zhuǎn)換在恒壓和恒流模式之間轉(zhuǎn)換。此功能可防止過載、電弧和短路。后面板開關(guān)允許選擇恒流或電流跳閘模式。為了管理電弧，BQ系列電源具有滅弧和電弧計數(shù)功能。第一個功能在每次負載電弧后短時間內(nèi)抑制高壓輸出，以幫助熄滅電弧。電弧計數(shù)可防止系統(tǒng)或負載電弧問題超出工廠設(shè)置的參數(shù)。它通過內(nèi)部電路來計算在給定時間內(nèi)發(fā)生的電弧，并在必要時關(guān)閉電源以清除故障，然后在預(yù)先設(shè)置的“關(guān)閉保持時間”后自動重新啟動。

應(yīng)用：

大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器

光伏逆變器

大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器

特性：

第2代芯片設(shè)計（內(nèi)置碳化硅SBD）

高電壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導(dǎo)通電阻、低二極管正向電壓、高柵閾值電壓：

VDSS＝1200V，Ciss＝1680pF（典型值），Qg＝67nC（典型值），

RDS（ON）＝70mΩ（典型值），VDSF＝-1.35V（典型值），Vth＝4.2～5.8V

增強類型易于操作

1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。

該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。

碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設(shè)計生產(chǎn)，實現(xiàn)了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導(dǎo)通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關(guān)斷開關(guān)損耗降低80%左右，開關(guān)時間（下降時間）縮短大約70%，并且能夠在不超過20A的漏極電流下提供低導(dǎo)通電壓。

柵閾值電壓被設(shè)置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內(nèi)，有助于減少故障風(fēng)險（意外開啟或關(guān)閉）。內(nèi)置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）也有助于降低功率損耗。

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