TI的GaN可靠性測試4000萬小時(shí)是怎樣實(shí)施的？實(shí)際上，在可靠性方面，TI有可靠性實(shí)驗(yàn)室，會針對硬開和軟開的情況進(jìn)行很多的可靠性測試。硬開時(shí)功率等級可達(dá)4000W以上，會進(jìn)行7×24小時(shí)的測試，并且在測試的同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，來判斷以及分析GaN的可靠性。在浪涌方面也進(jìn)行了很多測試，使TI的GaN可以承受高于720V的浪涌，使得在過壓時(shí)也可順利地進(jìn)行開關(guān)。TI通過可靠性測試，并且在誕生可靠性標(biāo)準(zhǔn)方面也進(jìn)行了領(lǐng)導(dǎo)和引領(lǐng)作用。

在制造方面，TI所有GaN的生產(chǎn)全部都屬于自有的，從來不外包設(shè)計(jì)。相關(guān)的工廠在達(dá)拉斯，現(xiàn)在的工廠正在往更大尺寸的晶圓方向發(fā)展，使將來GaN的成本也會更低。

此系列中的所有裝置皆具備包含 Schmitt 觸發(fā)的標(biāo)準(zhǔn) TTL/CMOS 邏輯輸入，最低能以 3.3V 運(yùn)作，因此很容易將驅(qū)動器連接至控制電路。其輸出的設(shè)計(jì)可承受負(fù)瞬態(tài)，并包含適用于高側(cè)與低側(cè)驅(qū)動器的欠壓鎖定。

DGD2003S8 與 DGD2005S8 分別具有 290mA 與 600mA 的源極與汲極電流，DGD2012S8 則為 1.9A 與 2.3A，在其范圍內(nèi)皆可維持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 內(nèi)部停滯時(shí)間，而 DGD2005S8 在高側(cè)與低側(cè)之間切換時(shí)，最大傳播時(shí)間為 30ns。

DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封裝，并可在 -40℃至+125℃ 的寬廣溫度范圍中運(yùn)作。

全新FRAM（鐵電隨機(jī)存儲器）解決方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY，此為該全新產(chǎn)品系列的首推器件。這兩款器件可在高達(dá)攝氏125度的高溫環(huán)境下運(yùn)作，專為汽車產(chǎn)業(yè)和安裝有電機(jī)的工業(yè)控制機(jī)械等設(shè)計(jì)，且符合嚴(yán)苛的汽車行業(yè)AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。富士通電子希望通過該全新產(chǎn)品系列拓展其汽車市場的各種應(yīng)用，并支持產(chǎn)品創(chuàng)新的研發(fā)項(xiàng)目。

由于FRAM屬于非失去性內(nèi)存，不僅能進(jìn)行高速隨機(jī)存取，且擁有高耐寫度的特性，因此能以最佳的性能滿足這類應(yīng)用的需求。目前，F(xiàn)RAM器件能支持如安全氣囊數(shù)據(jù)儲存、事故數(shù)據(jù)記錄器（EDR）、電池管理系統(tǒng)（BMS）、汽車駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）及導(dǎo)航與信息娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用中的實(shí)時(shí)且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲存，故能降低系統(tǒng)復(fù)雜度并提高數(shù)據(jù)完整性。