全新系列的高電壓、高速閘極驅(qū)動器，適用于轉(zhuǎn)換器、變頻器、馬達控制，以及 D 類功率放大器等應(yīng)用。上述裝置適用于最高 100V 的馬達驅(qū)動應(yīng)用，同時可支持以 200V 運作的功率轉(zhuǎn)換及反轉(zhuǎn)應(yīng)用。這些功能使其非常適用于各種消費性與工業(yè)設(shè)計，包括電動工具、機器人與無人機，以及小型電動車。

DGD2003S8、DGD2005S8及DGD2012S8為涵蓋半橋與高側(cè)/低側(cè)拓撲的 200V 閘極驅(qū)動器，并采用標準低矮型 SO-8 封裝。這些裝置具有接面隔離位準偏移技術(shù)，可建立浮動信道高側(cè)驅(qū)動器，用于以最高 200V 運作的自舉式拓撲，并可驅(qū)動使用半橋組態(tài)的兩個 N 通道 MOSFET。

BSM300GA120DN2 (德國進口/全新原裝）

英飛凌Infineon/EUPEC

IGBT 模塊

全新原裝

1200V

300 A

145C

BSM300GA120DN2BSM300GA模塊性能：

絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)

動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

富士通電子的全新車用FRAM 產(chǎn)品MB85RS128TY和MB85RS256TY搭配SPI界面，提供128kbit和256kbit兩個容量。其操作電壓范圍為1.8~3.6V，操作溫度范圍為攝氏零下40~125度，這樣的寬溫范圍符合車用市場標準及高溫環(huán)境下的工業(yè)應(yīng)用需求。MB85RS128TY和MB85RS256TY提供高達10兆次的寫入次數(shù)，采用標準SOP-8封裝。

汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷史上最大幅度的轉(zhuǎn)型。通過全新FRAM解決方案，我們得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉(zhuǎn)化為實際產(chǎn)品。我們不只為全球的客戶提供器件，更為基于此FRAM的每項開發(fā)項目提供顧問服務(wù)，與客戶一起克服挑戰(zhàn)并協(xié)助他們加快創(chuàng)新流程。

MB85RS128TY，MB85RS256TY現(xiàn)已提供工程樣品。

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