傳統(tǒng)的RAID技術和Scale-up架構(gòu)也阻止了傳統(tǒng)的SAN和NAS成為EB級高可用，高性能的海量存儲單元。傳統(tǒng)的RAID基于硬盤，通常一個RAID組最多包含20+塊硬盤，即使PB級規(guī)模的SAN或NAS也將被分割成多個存儲孤島，增加了EB級規(guī)模應用場景下的管理復雜度;同時Scale-up架構(gòu)決定了即使SAN和NAS存儲容量達到EB級，性能也將成為木桶的短板。

那么如何才能應對信息爆炸時代的數(shù)據(jù)洪流.我們設想能否有一種“超級數(shù)據(jù)圖書館”，它提供海量的、可共享的存儲空間給很多用戶(服務器/服務器集群)使用，提供超大的存儲容量，其存儲容量規(guī)模千倍于當前的高速存儲單元(SAN和NAS)，用戶或應用訪問數(shù)據(jù)時無需知道圖書館對這些書如何擺放和管理(布局管理)，只需要提供唯一編號(ID)就可以獲取到這本書的內(nèi)容(數(shù)據(jù))。如果某一本書變得老舊殘破，系統(tǒng)自動地將即將失效或已經(jīng)失效的書頁(存儲介質(zhì))上的數(shù)據(jù)抄寫(恢復/重構(gòu))到新的紙張(存儲介質(zhì))上，并重新裝訂這本書，數(shù)據(jù)使用者無需關注這一過程，只是根據(jù)需要去獲取數(shù)據(jù)資源。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細信息 產(chǎn)品類型:TVS Diodes 極性:Unidirectional 工作電壓:130 V 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA-2 (SMB) 擊穿電壓:144 V 鉗位電壓:209 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):600 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:- Vesd - 靜電放電電壓氣隙:- 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:SMBJ_A 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Vishay General Semiconductor Pd-功率耗散:1 W 工廠包裝數(shù)量:750 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商標名:TransZorb 零件號別名:SMBJ130D-M3/H SMBJ130D-M3/I 單位重量:96 mg

對象是數(shù)據(jù)和自描述信息的集合，是在磁盤上存儲的基本單元。對象存儲通過簡化數(shù)據(jù)的組織形式(如將樹形的“目錄”和“文件”替換為扁平化的“ID”與“對象”)、降低協(xié)議與接口的復雜度(如簡化復雜的鎖機制，確保最終一致性)，從而提高系統(tǒng)的擴展性以應對信息爆炸時代海量數(shù)據(jù)的挑戰(zhàn)。同時對象的智能自管理功能也能有效降低系統(tǒng)維護復雜度，幫助用戶降低整體擁有成本(TCO)。

產(chǎn)品分類ESD抑制器/TVS二極管

過壓過流保護器件

極性（單雙向）單向 反向斷態(tài)電壓 V(RWM)13V 峰值脈沖功率600W 封裝/外殼SMB(DO-214AA) 產(chǎn)品分類ESD抑制器/TVS二極管

過壓過流保護器件

極性（單雙向）單向 反向斷態(tài)電壓 V(RWM)13V 峰值脈沖功率600W 封裝/外殼SMB(DO-214AA)