氮化鎵適用于高頻電源，而碳化硅則適用于要求更高功率和魯棒性的應(yīng)用，例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源。隨著寬禁帶器件在市場(chǎng)上的地位越來(lái)越穩(wěn)固，在技術(shù)采用上將變得更加明確。

制造氮化鎵 HEMT 所涉及的每一道工序都必須非常精確，以獲得最佳的器件性能和可靠性。寬禁帶器件的快速開關(guān)、高功率密度和高電壓擊穿，要求極高質(zhì)量的外延層和電介質(zhì)沉積，以及精確的刻蝕和金屬沉積。

MOCVD在襯底上生長(zhǎng)各種外延層，對(duì)氮化鎵器件的制造至關(guān)重要。缺陷密度、晶圓內(nèi)均勻性和晶圓到晶圓的可重復(fù)性是MOCVD開發(fā)的關(guān)鍵考慮因素，特別是過(guò)渡到200mm時(shí)。

特點(diǎn)

鋰電池正負(fù)極反接保護(hù)；

高達(dá) 500mA 的可編程充電電流；

無(wú)需 MOSFET、檢測(cè)電阻器或隔離二極管；

用于單節(jié)鋰離子電池

恒定電流/恒定電壓操作，并具有可在無(wú)過(guò)熱危 險(xiǎn)的情況下實(shí)現(xiàn)充電速率最大化的熱調(diào)節(jié)功能；

可直接從 USB 端口給單節(jié)鋰離子電池充電；

精度達(dá)到±1%的 4.2V 預(yù)設(shè)充電電壓；

最高輸入可達(dá) 9V； ·自動(dòng)再充電；

2 個(gè)充電狀態(tài)開漏輸出引腳；

C/10 充電終止；

待機(jī)模式下的供電電流為 40uA；

2.9V涓流充電器件版本；

軟啟動(dòng)限制了浪涌電流；

采用 6 引腳 SOT-23 封裝。

應(yīng)用

充電座 

蜂窩電話、PDA、MP3播放器

藍(lán)牙應(yīng)用 典型應(yīng)用 500mA 單節(jié)鋰離子電池充電器

鑒于氮化鎵和硅在膨脹過(guò)程中不同的晶格常數(shù)和熱系數(shù)，在硅上生長(zhǎng)外延氮化鎵以形成穩(wěn)定可靠的HEMT，從超晶格結(jié)構(gòu)和應(yīng)力控制方面來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常具有挑戰(zhàn)性的工藝。

刻蝕是制造氮化鎵器件的關(guān)鍵工藝。其中存在兩個(gè)明顯的難題：一個(gè)是氮化鎵/鋁鎵氮的高選擇比;另一個(gè)是p型氮化鎵刻蝕可能存在鋁鎵氮的過(guò)度刻蝕，導(dǎo)致表面粗糙，從而降低表面電阻。此外，帶有凹陷柵極的HEMT需要一定的鋁鎵氮厚度，這一厚度必須是精確控制且高度可重復(fù)的。原子層精度和先進(jìn)的工藝終點(diǎn)監(jiān)測(cè)至關(guān)重要。

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