VCSEL發(fā)射器和在6-10層的內(nèi)存模塊

發(fā)布時(shí)間:2020/11/22 23:41:19 訪問次數(shù):600

選用 CMOS器件尤其是高速器件有動(dòng)態(tài)功率要求，需要采取去耦措施以便滿足其瞬時(shí)功率要求。

高頻環(huán)境中，引腳會(huì)形成電感，數(shù)值約為1nH/1mm，引腳末端也會(huì)向后呈小電容效應(yīng)，大約有4pF。表貼器件有利于EMI性能，寄生電感和電容值分別為0.5nH和0.5pF。

放射狀引腳優(yōu)于軸向平行引腳;

TTL與CMOS混合電路因?yàn)殚_關(guān)保持時(shí)間不同，會(huì)產(chǎn)生時(shí)鐘、有用信號(hào)和電源的諧波，因此最好選擇同系列邏輯電路。

未使用的CMOS器件引腳，要通過串聯(lián)電阻接地或者接電源。

TMD2712易于集成到顯示屏組裝中，可以準(zhǔn)確測量IR和環(huán)境光。該模塊的VCSEL發(fā)射器和光電二極管特意做了偏心設(shè)計(jì)，讓制造商能夠更靈活地組合放置傳感器和其他元器件，例如攝像頭。該模塊的接近光檢測引擎提供更出色的光串?dāng)_抑制，可以在長距離范圍內(nèi)可靠運(yùn)行，提供寬視角，無需使用導(dǎo)光管、墊高板或特殊油墨。

通過使用VCSEL發(fā)射器和在模塊中實(shí)施功率優(yōu)化，TMD2712可以降低功耗，讓傳感器對(duì)電池電量的消耗達(dá)到最低。TMD2712傳感器電路采用1.8V電源，在睡眠模式下僅消耗0.7μA。TMD2712 ALS和接近光傳感器根據(jù)客戶要求提供評(píng)估板。

在高速PCB設(shè)計(jì)中，看似簡單的過孔也往往會(huì)給電路的設(shè)計(jì)帶來很大的負(fù)面效應(yīng)，為了減小過孔的寄生效應(yīng)帶來的不利影響，在設(shè)計(jì)中可以盡量做到：

從成本和信號(hào)質(zhì)量兩方面來考慮，選擇合理尺寸的過孔大小。例如對(duì)6- 10層的內(nèi)存模塊PCB設(shè)計(jì)來說，選用10/20mil(鉆孔/焊盤)的過孔較好，對(duì)于一些高密度的小尺寸的板子，也可以嘗試使用8/18Mil的過孔。在目前技術(shù)條件下，很難使用更小尺寸的過孔了(當(dāng)孔的深度超過鉆孔直徑的6倍時(shí)，就無法保證孔壁能均勻鍍銅);對(duì)于電源或地線的過孔則可以考慮使用較大尺寸，以減小阻抗。

使用較薄的PCB板有利于減小過孔的兩種寄生參數(shù)。

PCB板上的信號(hào)走線盡量不換層，即盡量不要使用不必要的過孔。

電源和地的管腳要就近打過孔，過孔和管腳之間的引線越短越好。

在信號(hào)換層的過孔附近放置一些接地的過孔，以便為信號(hào)提供最近的回路。甚至可以在PCB板上大量放置一些多余的接地過孔。