額定工作溫度范圍-25°C到+85°C，并支持1.7V-1.95V和2.7V-3.6V雙電壓電源，可滿足無線產(chǎn)品等電池供電的移動設備對電源的要求。32GB容量的產(chǎn)品的樣片。

1 Gb SLC NAND還大幅度提高了存儲器的性能，把數(shù)據(jù)讀取速度提高了一倍，從原來的每秒13MB提到現(xiàn)在的每秒26MB�；�48nm工藝，1 GbSLC NAND程序運行速度是90nm產(chǎn)品的4倍，擦除操作是90nm產(chǎn)品的8倍，使產(chǎn)品的性能更強，用戶的使用體驗更好。

為了延長存儲器的使用壽命，1 Gb SLC NAND提供了標準的每528字節(jié)地址空間1位ECC的選項，需要1位EEC校驗功能的應用無需升級軟件或修改硬件，就能輕松升級到1位ECC校驗。 48nm  1Gb  NAND產(chǎn)品采用300mm技術生產(chǎn)。

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件編號

SI2302CDS-T1-GE3

描述

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級 （MSL） 1（無限）

詳細描述 表面貼裝-N-溝道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 2.6A（Ta）

驅動電壓

OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737寬波段紅外發(fā)射器

OSRAM Opto Semiconductors SFH 4737是市面上超小的光譜應用近紅外LED (NIRED)。

車載單元數(shù)量的增加以及必須通過電子電路實現(xiàn)的功能的增加，ADAS/信息娛樂系統(tǒng)外圍單元的電子電路需要進行以下復雜的設計：

攝像頭和傳感器數(shù)量的增加，需要安裝的電子元器件數(shù)量也在增加，需要供給的電源軌也變得越來越復雜，因此需要在成本、尺寸和特性方面進行優(yōu)化組合。

由于不能犧牲續(xù)航里程，因此就需要高效率的電源系統(tǒng)。

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