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six-pack模塊或功率集成模塊驅(qū)動(dòng)功率級(jí)

發(fā)布時(shí)間:2020/11/30 23:07:16 訪問次數(shù):1108

STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK™ IGBT模塊。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模塊屬于專為工業(yè)應(yīng)用而開發(fā)的新型塑料電源模塊系列,可為3 kW – 30 kW的工業(yè)和電源管理解決方案提供高成本效益、高集成度的功率轉(zhuǎn)換功能。這些穩(wěn)健的模塊兼具高功率密度和可靠性,實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與高開關(guān)性能的完美組合。

ST ACEPACK IGBT模塊有兩種緊湊型配置,并采用ST的第三代溝槽式場(chǎng)截止IGBT。設(shè)計(jì)師可以選擇six-pack模塊或功率集成模塊 (PIM)。six-pack模塊內(nèi)置六個(gè)IGBT和續(xù)流二極管,可用作三相逆變器。PIM是轉(zhuǎn)換器-逆變器-制動(dòng)器 (CIB) 模塊,集成有三相整流器、三相逆變器和處理負(fù)載反饋能量的制動(dòng)斬波器,提供完整驅(qū)動(dòng)功率級(jí)。這兩種模塊還內(nèi)置有NTC熱敏電阻,用于感測(cè)和控制溫度。

IGBT PIM模塊產(chǎn)品,分別有P2、P3兩款封裝外形,1200V,電流10A~35A,芯片參數(shù)穩(wěn)定,一致性優(yōu)異,產(chǎn)品采用環(huán)保材料,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),主要應(yīng)用于電動(dòng)驅(qū)動(dòng)器、交直流伺服驅(qū)動(dòng)放大器和不間斷電源。

產(chǎn)品特點(diǎn)

最大工作結(jié)溫175℃

低開關(guān)損耗

低飽和壓降,正溫度系數(shù)

具有超快速和軟恢復(fù)特性的續(xù)流二極管

高短路電流能力(10us以上)

飽和壓降低,減少工作損耗

使用DBC結(jié)構(gòu)的絕緣性散熱底板。


優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能,有助于設(shè)備進(jìn)一步節(jié)能

新模塊中使用的是ROHM產(chǎn)的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置,使導(dǎo)通電阻低于同等普通產(chǎn)品10%,這將非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。

SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容:

漏電流功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。

高溫高濕反偏試驗(yàn)(HV-H3TRB:High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)對(duì)于在高溫高濕環(huán)境下使用功率元器件時(shí)的耐久性進(jìn)行評(píng)估的試驗(yàn)。通過電場(chǎng)和水分引起的絕緣處漏電流的增加,來檢測(cè)絕緣擊穿等故障現(xiàn)象。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK™ IGBT模塊。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模塊屬于專為工業(yè)應(yīng)用而開發(fā)的新型塑料電源模塊系列,可為3 kW – 30 kW的工業(yè)和電源管理解決方案提供高成本效益、高集成度的功率轉(zhuǎn)換功能。這些穩(wěn)健的模塊兼具高功率密度和可靠性,實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與高開關(guān)性能的完美組合。

ST ACEPACK IGBT模塊有兩種緊湊型配置,并采用ST的第三代溝槽式場(chǎng)截止IGBT。設(shè)計(jì)師可以選擇six-pack模塊或功率集成模塊 (PIM)。six-pack模塊內(nèi)置六個(gè)IGBT和續(xù)流二極管,可用作三相逆變器。PIM是轉(zhuǎn)換器-逆變器-制動(dòng)器 (CIB) 模塊,集成有三相整流器、三相逆變器和處理負(fù)載反饋能量的制動(dòng)斬波器,提供完整驅(qū)動(dòng)功率級(jí)。這兩種模塊還內(nèi)置有NTC熱敏電阻,用于感測(cè)和控制溫度。

IGBT PIM模塊產(chǎn)品,分別有P2、P3兩款封裝外形,1200V,電流10A~35A,芯片參數(shù)穩(wěn)定,一致性優(yōu)異,產(chǎn)品采用環(huán)保材料,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),主要應(yīng)用于電動(dòng)驅(qū)動(dòng)器、交直流伺服驅(qū)動(dòng)放大器和不間斷電源。

產(chǎn)品特點(diǎn)

最大工作結(jié)溫175℃

低開關(guān)損耗

低飽和壓降,正溫度系數(shù)

具有超快速和軟恢復(fù)特性的續(xù)流二極管

高短路電流能力(10us以上)

飽和壓降低,減少工作損耗

使用DBC結(jié)構(gòu)的絕緣性散熱底板。


優(yōu)異的導(dǎo)通電阻性能,有助于設(shè)備進(jìn)一步節(jié)能

新模塊中使用的是ROHM產(chǎn)的SiC SBD和SiC MOSFET。通過SiC SBD和SiC MOSFET的最佳組合配置,使導(dǎo)通電阻低于同等普通產(chǎn)品10%,這將非常有助于應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能。

SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容:

漏電流功率元器件中從絕緣的位置泄漏出來的微小電流。抑制漏電流可防止元器件損壞和功耗增加。

高溫高濕反偏試驗(yàn)(HV-H3TRB:High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)對(duì)于在高溫高濕環(huán)境下使用功率元器件時(shí)的耐久性進(jìn)行評(píng)估的試驗(yàn)。通過電場(chǎng)和水分引起的絕緣處漏電流的增加,來檢測(cè)絕緣擊穿等故障現(xiàn)象。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


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