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交錯時鐘功能避免交叉導(dǎo)通的功率開關(guān)

發(fā)布時間:2020/12/6 12:11:23 訪問次數(shù):595

32款LDO穩(wěn)壓器產(chǎn)品組成的“TCR3RM系列”,為智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等移動電子設(shè)備提供更穩(wěn)定的直流電源。該系列的首批產(chǎn)品將于今日開始出貨,其他產(chǎn)品也將陸續(xù)上市。

新款TCR3RM系列將帶隙電路、低通濾波器(僅允許通過極低頻率)以及低噪聲高速運(yùn)算放大器相結(jié)合,旨在實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的[1]高紋波抑制比[2]和低輸出噪聲電壓。

新產(chǎn)品提供了優(yōu)異的紋波抑制比和輸出噪聲電壓特性,即使噪聲頻率達(dá)到或超過100kHz,也能夠消除電路噪聲。這有助于穩(wěn)定電源電壓,并提供較高的輸出電壓精度。

主要規(guī)格:器件型號TCR3RMxxA[3]封裝名稱DFN4C尺寸典型值(mm)@Ta=25℃1.0×1.0,厚度=0.38 工作范圍

(@Ta=-40至85℃)輸出電流IOUT(mA)300輸出電壓VOUT(V)0.9至4.5輸入電壓VIN(V)1.8至5.5電氣特性

(除非另有說明,@Tj=25℃)輸出電壓

VOUT最小值/最大值(mV)@VOUT<1.8V,Tj=-40至85℃-36/36 輸出電壓

VOUT最小值/最大值(%)@VOUT≥1.8V,Tj=-40至85℃-2/2 靜態(tài)電流

IB(ON)典型值(μA)@IOUT=0mA[4]7 紋波抑制比

R.R.典型值(dB)@f=1kHz,Ta=25℃100 @f=10kHz,Ta=25℃93 @f=100kHz,Ta=25℃68 @f=1MHz,Ta=25℃68 @f=2MHz,Ta=25℃67 輸出噪聲電壓

650V增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進(jìn)的功率系統(tǒng)級封裝,集成了柵極驅(qū)動器和兩個半橋配置的增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅(qū)動很容易由集成的自舉二極管供電. 

MASTERGAN1對低和高驅(qū)動部分具有UVLO保護(hù),以防止功率開關(guān)在低效率或危險(xiǎn)條件下工作,而交錯時鐘功能避免了交叉導(dǎo)通的出現(xiàn).漏極電流(IDS(MAX))為10 A,3.3V到15V兼容輸入,具有超溫保護(hù).主要用在開關(guān)電源,充電器和適配器,高壓PFC,DC/DC和DC/AC轉(zhuǎn)換器,UPS系統(tǒng)和太陽能電源.


(素材來源:eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

32款LDO穩(wěn)壓器產(chǎn)品組成的“TCR3RM系列”,為智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等移動電子設(shè)備提供更穩(wěn)定的直流電源。該系列的首批產(chǎn)品將于今日開始出貨,其他產(chǎn)品也將陸續(xù)上市。

新款TCR3RM系列將帶隙電路、低通濾波器(僅允許通過極低頻率)以及低噪聲高速運(yùn)算放大器相結(jié)合,旨在實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的[1]高紋波抑制比[2]和低輸出噪聲電壓。

新產(chǎn)品提供了優(yōu)異的紋波抑制比和輸出噪聲電壓特性,即使噪聲頻率達(dá)到或超過100kHz,也能夠消除電路噪聲。這有助于穩(wěn)定電源電壓,并提供較高的輸出電壓精度。

主要規(guī)格:器件型號TCR3RMxxA[3]封裝名稱DFN4C尺寸典型值(mm)@Ta=25℃1.0×1.0,厚度=0.38 工作范圍

(@Ta=-40至85℃)輸出電流IOUT(mA)300輸出電壓VOUT(V)0.9至4.5輸入電壓VIN(V)1.8至5.5電氣特性

(除非另有說明,@Tj=25℃)輸出電壓

VOUT最小值/最大值(mV)@VOUT<1.8V,Tj=-40至85℃-36/36 輸出電壓

VOUT最小值/最大值(%)@VOUT≥1.8V,Tj=-40至85℃-2/2 靜態(tài)電流

IB(ON)典型值(μA)@IOUT=0mA[4]7 紋波抑制比

R.R.典型值(dB)@f=1kHz,Ta=25℃100 @f=10kHz,Ta=25℃93 @f=100kHz,Ta=25℃68 @f=1MHz,Ta=25℃68 @f=2MHz,Ta=25℃67 輸出噪聲電壓

650V增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進(jìn)的功率系統(tǒng)級封裝,集成了柵極驅(qū)動器和兩個半橋配置的增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅(qū)動很容易由集成的自舉二極管供電. 

MASTERGAN1對低和高驅(qū)動部分具有UVLO保護(hù),以防止功率開關(guān)在低效率或危險(xiǎn)條件下工作,而交錯時鐘功能避免了交叉導(dǎo)通的出現(xiàn).漏極電流(IDS(MAX))為10 A,3.3V到15V兼容輸入,具有超溫保護(hù).主要用在開關(guān)電源,充電器和適配器,高壓PFC,DC/DC和DC/AC轉(zhuǎn)換器,UPS系統(tǒng)和太陽能電源.


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