20A漏極電流低導(dǎo)通電壓25-100V/ns轉(zhuǎn)換速率
發(fā)布時(shí)間:2020/12/6 12:24:39 訪問次數(shù):1420
功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。
新產(chǎn)品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設(shè)計(jì)生產(chǎn)[1]，實(shí)現(xiàn)了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導(dǎo)通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關(guān)斷開關(guān)損耗降低80%左右，開關(guān)時(shí)間（下降時(shí)間）縮短大約70%，并且能夠在不超過(guò)20A[2]的漏極電流下提供低導(dǎo)通電壓。
主要用在AC/DC適配器,開框開關(guān)電源(SMPS), LED TV,臺(tái)式電腦和全合一PC的開關(guān)電源,和節(jié)能兼容的消費(fèi)類電子和工業(yè)SMPS,以及其LED街區(qū)照明.
過(guò)流保護(hù)的600-V 50-mΩ GaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)以降低開關(guān)損耗達(dá)80%之多,以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴以降低EMI,20ns傳輸時(shí)延用于MHz工作,25-100V/ns用戶可調(diào)轉(zhuǎn)換速率,具有強(qiáng)健的保護(hù),不需要外接保護(hù)元件,主要用在高密度工業(yè)和消費(fèi)類電源,多級(jí)轉(zhuǎn)換器,太陽(yáng)能逆變器,工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),不間斷電源(UPS)以及高壓電池充電器.
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡(jiǎn)系統(tǒng)。
新產(chǎn)品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設(shè)計(jì)生產(chǎn)[1]，實(shí)現(xiàn)了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導(dǎo)通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關(guān)斷開關(guān)損耗降低80%左右，開關(guān)時(shí)間（下降時(shí)間）縮短大約70%，并且能夠在不超過(guò)20A[2]的漏極電流下提供低導(dǎo)通電壓。
主要用在AC/DC適配器,開框開關(guān)電源(SMPS), LED TV,臺(tái)式電腦和全合一PC的開關(guān)電源,和節(jié)能兼容的消費(fèi)類電子和工業(yè)SMPS,以及其LED街區(qū)照明.
過(guò)流保護(hù)的600-V 50-mΩ GaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)以降低開關(guān)損耗達(dá)80%之多,以及低開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴以降低EMI,20ns傳輸時(shí)延用于MHz工作,25-100V/ns用戶可調(diào)轉(zhuǎn)換速率,具有強(qiáng)健的保護(hù),不需要外接保護(hù)元件,主要用在高密度工業(yè)和消費(fèi)類電源,多級(jí)轉(zhuǎn)換器,太陽(yáng)能逆變器,工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),不間斷電源(UPS)以及高壓電池充電器.
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