Transphorm的SuperGaN™技術(shù)優(yōu)于碳化硅,SuperGaN Gen V平臺(tái)融合了其上一代Gen IV的所有經(jīng)驗(yàn)、獲專利的減小封裝電感技術(shù)、易于設(shè)計(jì)性和可驅(qū)動(dòng)性（4V的Vth，以實(shí)現(xiàn)抗擾性）和+/- 20 Vmax的柵極穩(wěn)健性，以及簡(jiǎn)化縮小的裝配結(jié)構(gòu)。

突破高壓GaN功率轉(zhuǎn)換極限,TP65H015G5WS與采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3封裝、導(dǎo)通電阻類似的尖端SiC MOSFET進(jìn)行了比較。這兩款器件在半橋同步升壓轉(zhuǎn)換器中均以70 kHz的頻率運(yùn)行，最高功率為12 kW，而得出的結(jié)果是Transphorm的GaN器件的功耗低25%。

制造商:Xilinx 產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:Kintex-7 邏輯元件數(shù)量:406720 邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:31775 輸入/輸出端數(shù)量:500 I/O 工作電源電壓:1.2 V to 3.3 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 100 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-900 數(shù)據(jù)速率:6.6 Gb/s 系列:XC7K410T 商標(biāo):Xilinx 自適應(yīng)邏輯模塊 - ALM:63550 分布式RAM:5663 kbit 內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:28620 kbit 嵌入式內(nèi)存:28620 kbit 最大工作頻率:640 MHz 濕度敏感性:Yes 收發(fā)器數(shù)量:16 Transceiver 產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工廠包裝數(shù)量:1 子類別:Programmable Logic ICs 商標(biāo)名:Kintex 單位重量:284.427 g

Bourns電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品其中包括：SRP-C大電流屏蔽型功率電感器，能夠降低DC/DC轉(zhuǎn)換器和電源的蜂鳴噪聲，可滿足現(xiàn)代消費(fèi)電子應(yīng)用對(duì)高電流密度的要求；SRP0xxx屏蔽型功率電感器，采用金屬合金粉末鐵芯和扁平電纜，具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性、低磁芯損耗和低DC電阻等特性；以及HCT系列符合AEC-Q2000標(biāo)準(zhǔn)的變壓器，擁有更高等級(jí)的高壓危險(xiǎn)隔離能力，是汽車電池管理系統(tǒng)、汽車柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)字輸入模塊的理想之選。

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