使用分立器件一方面增加了集成商的設(shè)計難度和產(chǎn)品的一致性，另一方面在手機PCB空間上已經(jīng)很難以分立器件方式集成所有的射頻前端器件，因此，模塊化是射頻前端發(fā)展的必然趨勢。

相對國際巨頭在射頻前端模塊化的成就，國內(nèi)廠商還處于探索階段。除了積極嘗試導入國內(nèi)廠商的高集成度射頻前端方案，以降低產(chǎn)品成本或應對未來供應鏈環(huán)節(jié)的不確定性。高度集成之后，對性能、兼容性等問題的綜合考量，成為PAMiD持續(xù)整合的重要趨勢。

特性

單節(jié)4.2V錳鋰或3.6V磷酸鐵鋰電池充電

內(nèi)置功率MOSFET,開關(guān)型工作模式，器件發(fā)熱少，外圍簡單

可編程充電電流，0.1A--2A

可編程預充電電流，10%--100%

無需外接防倒灌肖特基二極管

寬工作電壓，最大達到9V

兩路LED充電狀態(tài)指示

芯片溫度保護，過流保護，欠壓保護

電池溫度保護、電池反接停機、短路保護

開關(guān)頻率800KHz，可用電感2.2uH-10uH

自動再充電功能小于1％的充電電壓控制精度

涓流、恒流、恒壓三段充電，保護電池

采用QFN16 4mm*4mm 超小型封裝

5G智能手機需要兼容2G/3G/4G，射頻前端占用面積較大，中低頻段5G射頻前端主要以PAMID/L-PAMID（PA+濾波器+Switch+LNA）形式存在。

前射頻前端巨頭之一的Qorvo也提出，下一步將低噪聲放大器(LNA)集成到PAMiD中，是推動射頻前端模塊繼續(xù)發(fā)展的重要動力之一。

在5G商業(yè)化的落地之中，智能手機的天線和射頻同路數(shù)量將顯著增加多，對射頻低噪聲放大器的數(shù)量需求也會迅速增加，在手機PCB板空間有限的情況下，如何實現(xiàn)高度集成的模塊化功能，成為新的思考。

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