AI 加速器驅(qū)動設(shè)計開關(guān)晶體管的控制器IC
發(fā)布時間:2020/12/13 8:23:13 訪問次數(shù):425
正電源電壓生成負(fù)輸出電壓。許多系統(tǒng)都需要負(fù)電源電壓,以便讀取某些傳感器發(fā)出的信號?赡苄枰獮樾盘栨溙峁ɡ纾+5 V和–5 V,或者甚至+15 V和–15 V電壓。負(fù)電源電壓也用于安全切換某些開關(guān)元件,例如碳化硅(SiC)。
Ćuk拓?fù)湟卜Q為2L反相拓?fù)洌驗槠潆娫绰窂街行枰褂脙蓚電感。
用于生成負(fù)電源電壓的Ćuk拓?fù)湓怼?/span>
在選擇合適的開關(guān)穩(wěn)壓器IC時,需要確保其中包含負(fù)電源電壓反饋引腳。ADI公司擁有大量帶有集成開關(guān)的單片開關(guān)穩(wěn)壓器IC,以及帶有外部開關(guān)晶體管的控制器IC,均適合此類應(yīng)用。
5G 和 Wi-Fi 6 會增加連接帶寬。5G 打算將帶寬提高到 10Gbps,而 Wi-Fi 6 已經(jīng)支持 2Gbps 帶寬。AI 加速器聲稱場景分割的時間少于 20μs,Intel i7 CPU 在大約 20ms 內(nèi)處理每個幀的速度相比,有了顯著進(jìn)步。
orCAD 或 Pads Logic 繪制原理圖,PCB layout
FPGA/CPLD設(shè)計與仿真,Transceiver高速設(shè)計、仿真以及差分信號完成性整改
嵌入式硬件設(shè)計
Davinci系列系統(tǒng)移植以及驅(qū)動設(shè)計
PCIe板卡、Windows/Linux驅(qū)動、以及應(yīng)用程序設(shè)計
板卡測試方案設(shè)計
技術(shù)攻關(guān)
一款MOS管,低開啟電壓 低內(nèi)阻,特別適合應(yīng)用于電弧打火機(jī),其特點是打火猛、溫度低、打火時間長、火花四射。
型號:HC030N10L參數(shù):100V30A ,類型:N溝道MOS場效應(yīng)管,內(nèi)阻22毫歐,低結(jié)電容2000pF, 封裝:貼片(TO-252)HC030N10L是一款采用SGT工藝MOS管,低開啟電壓1.5V,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強(qiáng)HC030N10L可以應(yīng)用于LED驅(qū)動電源,電弧打火機(jī)、驅(qū)動電機(jī)、工控電源等產(chǎn)品
特點:內(nèi)阻低,結(jié)電容小,電源研發(fā)設(shè)計,具體抗高溫、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、溫升低特點,電弧打火機(jī)專用,火苗粗,打火時間長。

(素材來源:ttic和chinaaet.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
正電源電壓生成負(fù)輸出電壓。許多系統(tǒng)都需要負(fù)電源電壓,以便讀取某些傳感器發(fā)出的信號?赡苄枰獮樾盘栨溙峁ɡ纾+5 V和–5 V,或者甚至+15 V和–15 V電壓。負(fù)電源電壓也用于安全切換某些開關(guān)元件,例如碳化硅(SiC)。
Ćuk拓?fù)湟卜Q為2L反相拓?fù),因為其電源路徑中需要使用兩個電感。
用于生成負(fù)電源電壓的Ćuk拓?fù)湓怼?/span>
在選擇合適的開關(guān)穩(wěn)壓器IC時,需要確保其中包含負(fù)電源電壓反饋引腳。ADI公司擁有大量帶有集成開關(guān)的單片開關(guān)穩(wěn)壓器IC,以及帶有外部開關(guān)晶體管的控制器IC,均適合此類應(yīng)用。
5G 和 Wi-Fi 6 會增加連接帶寬。5G 打算將帶寬提高到 10Gbps,而 Wi-Fi 6 已經(jīng)支持 2Gbps 帶寬。AI 加速器聲稱場景分割的時間少于 20μs,Intel i7 CPU 在大約 20ms 內(nèi)處理每個幀的速度相比,有了顯著進(jìn)步。
orCAD 或 Pads Logic 繪制原理圖,PCB layout
FPGA/CPLD設(shè)計與仿真,Transceiver高速設(shè)計、仿真以及差分信號完成性整改
嵌入式硬件設(shè)計
Davinci系列系統(tǒng)移植以及驅(qū)動設(shè)計
PCIe板卡、Windows/Linux驅(qū)動、以及應(yīng)用程序設(shè)計
板卡測試方案設(shè)計
技術(shù)攻關(guān)
一款MOS管,低開啟電壓 低內(nèi)阻,特別適合應(yīng)用于電弧打火機(jī),其特點是打火猛、溫度低、打火時間長、火花四射。
型號:HC030N10L參數(shù):100V30A ,類型:N溝道MOS場效應(yīng)管,內(nèi)阻22毫歐,低結(jié)電容2000pF, 封裝:貼片(TO-252)HC030N10L是一款采用SGT工藝MOS管,低開啟電壓1.5V,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強(qiáng)HC030N10L可以應(yīng)用于LED驅(qū)動電源,電弧打火機(jī)、驅(qū)動電機(jī)、工控電源等產(chǎn)品
特點:內(nèi)阻低,結(jié)電容小,電源研發(fā)設(shè)計,具體抗高溫、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、溫升低特點,電弧打火機(jī)專用,火苗粗,打火時間長。

(素材來源:ttic和chinaaet.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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