氮化鎵器件的性能優(yōu)勢可讓設(shè)計人員實(shí)現(xiàn)80 Plus鈦電源供電的效率，以及實(shí)現(xiàn)比目前各種解決方案更小型化、更快、更低溫和更輕盈的系統(tǒng)，從而實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本。

芯片行業(yè)是典型的人才密集和資金密集型高風(fēng)險產(chǎn)業(yè)，如果沒有大量用戶攤薄費(fèi)用，芯片成本將直線上升。7nm的麒麟980研發(fā)費(fèi)用遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)估的5億美元，5G Modem研發(fā)費(fèi)用在上億美元，光流片就相當(dāng)費(fèi)錢，還有團(tuán)隊(duì)的持續(xù)投入，累計參與項(xiàng)目的工程師有上千人。

設(shè)計成本也不斷上漲，每一代至少增加30~50%的設(shè)計成本.

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:4 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:55 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:15 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:STripFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1.65 mm 長度:5 mm 系列:STS4DNF60L 晶體管類型:2 N-Channel Power MOSFET 類型:Power MOSFET 寬度:4 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 正向跨導(dǎo) - 最小值:25 S 下降時間:10 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:28 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:45 ns 典型接通延遲時間:15 ns 單位重量:85 mg

扇出型晶圓級封裝是一大改進(jìn)，為晶圓模提供了更多的外部接觸空間。將芯片嵌入環(huán)氧模塑料內(nèi)，然后在晶片表面制造高密度重分布層(RDL)和焊料球，形成重組晶片。

將前端處理的晶圓片分割成單個晶圓片，然后將晶圓片在載體結(jié)構(gòu)上分隔開，填充間隙以形成再生晶圓片。FOWLP在封裝和應(yīng)用板之間提供了大量的連接基板本質(zhì)上比模具大，所以模具間距更寬松。

硅膠倒裝芯片嵌入到玻璃襯底中，然后RDL在芯片上扇動，形成一個貫穿玻璃的通道.