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EV12DD700數(shù)模轉(zhuǎn)換器Hi-TCE封裝的溫度使用范圍

發(fā)布時(shí)間:2020/11/30 13:00:06 訪問次數(shù):1501

基于EV12DD700的評(píng)估板上發(fā)布的,Teledyne e2v在春季推出了該評(píng)估板,工程師可以通過該評(píng)估板初步了解性能水平,F(xiàn)在,通過直接操作樣片,他們將有機(jī)會(huì)親自了解數(shù)模轉(zhuǎn)換器將如何滿足其設(shè)計(jì)并能開開啟技術(shù)移植計(jì)劃。

通過這些獨(dú)特的數(shù)模轉(zhuǎn)換器設(shè)備,我們正在加速眾所期待的射頻軟件化,這在未來肯定會(huì)帶來巨大的效益,F(xiàn)階段的樣片對(duì)于研發(fā)工程師具有極大誘惑力,他們將會(huì)重新考慮如何構(gòu)建數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化的架構(gòu)。

新的EV12DD700數(shù)模轉(zhuǎn)換器將以Hi-TCE封裝格式提供,尺寸為20mm x 20mm。性能穩(wěn)定,可覆蓋-55℃到125℃的溫度使用范圍。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.15 V在25 C的連續(xù)集電極電流:75 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:EconoPIM3封裝:Bulk柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:270 W工廠包裝數(shù)量:10

全探針陣列設(shè)計(jì)允許現(xiàn)場根據(jù)不同產(chǎn)品配置探針位置,使得單個(gè)Volta 180探針頭可測試多個(gè)產(chǎn)品。技術(shù)性的挑戰(zhàn)和封裝成本的上升推動(dòng)了晶圓級(jí)封裝和已知合格芯片(KGD)測試需求的增長。史密斯英特康的 Volta180 系列兼具高性能和高性價(jià)比滿足市場需求,會(huì)助力我們的合作伙伴大大提升測試效率和測試性能。

全新 Volta180 測試頭擴(kuò)大Volta產(chǎn)品線,支持市場對(duì)更小間距的晶圓尺寸,晶圓級(jí)芯片封裝和已知合格芯片(Known Good Die)的測試需求。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

基于EV12DD700的評(píng)估板上發(fā)布的,Teledyne e2v在春季推出了該評(píng)估板,工程師可以通過該評(píng)估板初步了解性能水平,F(xiàn)在,通過直接操作樣片,他們將有機(jī)會(huì)親自了解數(shù)模轉(zhuǎn)換器將如何滿足其設(shè)計(jì)并能開開啟技術(shù)移植計(jì)劃。

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新的EV12DD700數(shù)模轉(zhuǎn)換器將以Hi-TCE封裝格式提供,尺寸為20mm x 20mm。性能穩(wěn)定,可覆蓋-55℃到125℃的溫度使用范圍。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS: 詳細(xì)信息商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Hex集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.15 V在25 C的連續(xù)集電極電流:75 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 125 C封裝 / 箱體:EconoPIM3封裝:Bulk柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:270 W工廠包裝數(shù)量:10

全探針陣列設(shè)計(jì)允許現(xiàn)場根據(jù)不同產(chǎn)品配置探針位置,使得單個(gè)Volta 180探針頭可測試多個(gè)產(chǎn)品。技術(shù)性的挑戰(zhàn)和封裝成本的上升推動(dòng)了晶圓級(jí)封裝和已知合格芯片(KGD)測試需求的增長。史密斯英特康的 Volta180 系列兼具高性能和高性價(jià)比滿足市場需求,會(huì)助力我們的合作伙伴大大提升測試效率和測試性能。

全新 Volta180 測試頭擴(kuò)大Volta產(chǎn)品線,支持市場對(duì)更小間距的晶圓尺寸,晶圓級(jí)芯片封裝和已知合格芯片(Known Good Die)的測試需求。


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